柔性天线阵及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118281547A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211736472.4

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本申请提供了一种柔性天线阵及其制备方法。其中,柔性天线阵包括三维柔性介质基板、多个微带阵元、馈电网络和天线地面,三维柔性介质基板包括底层薄膜层和位于底层薄膜层的第一侧面的多个台阶结构,底层薄膜层和多个台阶结构为一体成型结构;多个微带阵元分别设置在多个台阶结构上;馈电网络设置在底层薄膜层的第一侧面上,馈电网络电连接多个微带阵元;天线地面设置在底层薄膜层的第二侧面上。本申请实施例的柔性天线阵采用三维柔性结构的三维柔性介质基板,通过底层薄膜层和台阶结构的三维结构设计,在不影响天线阵的辐射特性的情况下,提高天线阵的柔性,有利于天线阵的曲面共形和重量减轻。

    柔性倒F天线及其制作方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116387806A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211386482.X

    申请日:2022-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种柔性倒F天线及其制作方法,该柔性倒F天线包括柔性基板以及设于柔性基板上的辐射体和接地体,接地体设有与辐射体相匹配的容纳间隙区,辐射体设于容纳间隙区内且与接地体相互间隔开,辐射体包括单极子天线和接地线,接地线的一端与单极子天线电性连接,接地线的另一端与接地体电性连接,单极子天线具有多个首尾相接的折弯部。通过在接地体设置容纳间隙区,将辐射体设于容纳间隙区内,使得辐射体被包围于接地体内,而且单极子天线由多个首尾相接的折弯部组成,可以使得辐射体在各个方向都存在耦合,天线的容性加强,并在弯曲共形时可以减少耦合量突变以及谐振频率偏移量,保持谐振频率的稳定性。

    微波介质陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114751745B

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202210042597.0

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明涉及一种微波介质陶瓷,所述微波介质陶瓷的组成成分包括CeO2、TiO2和金属氧化物,其中,所述金属氧化物中的金属离子的化合价低于+4价,且所述金属离子的离子半径为0.04nm‑0.09nm,所述金属氧化物不与所述CeO2以及所述TiO2发生反应,所述CeO2与所述TiO2的摩尔比为(1‑y):y,0.1≤y≤0.2,所述CeO2和所述TiO2的摩尔量之和与所述金属氧化物的摩尔比为(1‑x):x,0.005≤x≤0.05。本发明还涉及所述微波介质陶瓷的制备方法及其在微波器件中的应用。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为24至30,品质因子与频率的乘积(Q×f)为20000GHz至60000GHz,谐振频率温度系数为‑10ppm/℃至10ppm/℃,用作微波器件的原材料时,制备的微波器件的损耗更低。

    柔性超宽带天线及其制作方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116315570A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211372866.6

    申请日:2022-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种柔性超宽带天线及其制作方法,该柔性超宽带天线包括柔性基板以及设于柔性基板上且相互绝缘的辐射体和接地体,辐射体和接地体之间具有绝缘间隙区,绝缘间隙区从柔性基板的第一侧边延伸至与第一侧边相邻的第二侧边,且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化。通过采用柔性基板作为载体,便于弯曲共形,实现与柔性弯曲设备集成化设计;而且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化,使得辐射体与接地体之间具有能量耦合量的渐变,实现电抗性储能的降低,带来带宽的增加以及良好的匹配特性,可实现UWB设备全频段覆盖的宽通带,还具有共形后易于修正阻抗的特点。

    微波介质陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114751745A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210042597.0

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明涉及一种微波介质陶瓷,所述微波介质陶瓷的组成成分包括CeO2、TiO2和金属氧化物,其中,所述金属氧化物中的金属离子的化合价低于+4价,且所述金属离子的离子半径为0.04nm‑0.09nm,所述金属氧化物不与所述CeO2以及所述TiO2发生反应,所述CeO2与所述TiO2的摩尔比为(1‑y):y,0.1≤y≤0.2,所述CeO2和所述TiO2的摩尔量之和与所述金属氧化物的摩尔比为(1‑x):x,0.005≤x≤0.05。本发明还涉及所述微波介质陶瓷的制备方法及其在微波器件中的应用。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为24至30,品质因子与频率的乘积(Q×f)为20000GHz至60000GHz,谐振频率温度系数为‑10ppm/℃至10ppm/℃,用作微波器件的原材料时,制备的微波器件的损耗更低。

    天线结构及终端
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114552189A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111641729.3

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请涉及一种天线结构,包括介质基板、辐射贴片和接地平面;辐射贴片和接地平面位于介质基板的一侧表面;接地平面包括电路板接地平面与接地贴片,接地贴片的一端与电路板接地平面连接,另一端朝向辐射贴片延伸;辐射贴片设有至少两条延伸臂,延伸臂与接地贴片之间交错设置。本申请还涉及一种终端,包括上述天线结构。本申请的天线结构将接地贴片与辐射贴片交叉排布,使接地贴片与辐射贴片之间电场耦合增强,本申请的天线在满足预设带宽的情况下,利用自身结构能大幅降低谐振频率,实现了器件的小型化。

Patent Agency Ranking