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公开(公告)号：CN115404552A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，代表反应物析出速度和沉积速度的比值，代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN103728692B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN115404552B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353501.9
申请日：2022-11-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持h/hA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
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公开(公告)号：CN115167015A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210793132.9
申请日：2022-07-05
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种波导调制器以及波导调制器制备方法，其中，所述波导调制器包括：第一波导层、第二波导层和铌酸锂层；其中，所述铌酸锂层键合设置于所述第一波导层和所述第二波导层之间。通过本发明提供的波导调制器，可以具有低半波电压‑长度积、高调制速率、低插入损耗的光场相位调控性能。
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公开(公告)号：CN103728692A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN118410725B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410876871.3
申请日：2024-07-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及激光器设计技术领域，提供一种基于神经网络算法的激光器逆向设计方法及系统，包括：获取目标激光器的输出特性参数，并将所述输出特性参数作为已完成训练的激光器设计模型的输出特性参数；其中，所述激光器设计模型基于预设神经网络，通过多组激光器的物理特性参数样本以及对应的输出特性参数样本训练而成；输入至少一组激光器的物理特性参数至所述激光器设计模型，获取所述激光器设计模型实际的输出特性参数；获取实际的输出特性参数与所述目标激光器的输出特性参数之间的偏差，生成偏差结果；基于所述偏差结果调整激光器的物理特性参数，完成目标激光器的逆向设计。本发明解决了现有激光器设计成本高、效率低的问题。
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公开(公告)号：CN118410725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410876871.3
申请日：2024-07-02
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及激光器设计技术领域，提供一种基于神经网络算法的激光器逆向设计方法及系统，包括：获取目标激光器的输出特性参数，并将所述输出特性参数作为已完成训练的激光器设计模型的输出特性参数；其中，所述激光器设计模型基于预设神经网络，通过多组激光器的物理特性参数样本以及对应的输出特性参数样本训练而成；输入至少一组激光器的物理特性参数至所述激光器设计模型，获取所述激光器设计模型实际的输出特性参数；获取实际的输出特性参数与所述目标激光器的输出特性参数之间的偏差，生成偏差结果；基于所述偏差结果调整激光器的物理特性参数，完成目标激光器的逆向设计。本发明解决了现有激光器设计成本高、效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115498075A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210992640.X
申请日：2022-08-18
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种二维半导体双异质结高效发光器件，包括：绝缘衬底；两个栅极，位于绝缘衬底；氮化硼介电层，位于栅极上；半导体发光层，位于氮化硼介电层上；半导体载流子输运层，位于半导体发光层上；源漏电极，位于半导体载流子输运层上；氮化硼保护层，位于源漏电极上；发光器件工作时在两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在源漏电极施加偏压。本发明能降低器件串联电阻，提升器件的饱和电流，因此可以提升器件的发光强度、提升器件的功率效率。
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公开(公告)号：CN114242830A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111294690.2
申请日：2021-11-03
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0693 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，包括以下步骤：将p型InP单晶片清洗、吹干；在p型InP单晶片表面制作纳米柱阵列，并用酸清洗；在纳米柱阵列侧面包裹上氧化层，并镀上透明导电层。本发明涉及的方法在制备过程中，同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及H2含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。本发明还提供了一种太阳能电池，本发明提供的太阳能电池有较高的太阳光吸收率及转换效率。
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