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公开(公告)号：CN104583102A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044982.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: B65H39/16 , B32B7/06 , B32B17/064 , B32B37/0053 , B32B2315/08 , B65H23/1888 , B65H41/00 , B65H2301/414324 , B65H2511/112 , B65H2801/61 , C23C14/34 , C23C14/562 , C03B35/00
Abstract: 本发明提供一种在抑制玻璃膜的破损的情况下，将玻璃膜和保护片材重叠卷取的玻璃膜输送装置。玻璃膜输送装置（1a）具备：从卷绕有玻璃膜的卷料送出该玻璃膜的放卷部（2），其中，在该玻璃膜上层叠有与该玻璃膜大致相同宽度的长保护片材；输送从放卷部（2）送出并从保护片材分离的玻璃膜的玻璃膜输送部（3）；一边在由玻璃膜输送部（3）输送的玻璃膜上层叠与玻璃膜大致相同宽度的长保护片材，一边卷取成卷状的卷取部（4）；以及搬出从放卷部（2）送出的玻璃膜分离的保护片材，并且，向卷取部（4）搬入保护片材的保护片材输送部（5a）。而且，玻璃膜输送装置（1a）具备调整卷取部（4）的保护片材以及玻璃膜的卷取状态的卷取调整机构。
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公开(公告)号：CN105189810B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480027855.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/562 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 提供一种仅将磁铁单元和靶材替换就能够对应于基材的尺寸变更的成膜装置。本发明的成膜装置（1）是使用与基材（W）的正面对置的蒸发源（2）对被输送的基材（W）的表面进行成膜的装置，蒸发源（2）具有靶材（7）、背板（8）、磁铁单元（9）、阴极体（10）和冷却水流路（12）。冷却水流路（12）是磁铁单元（9）与背板（8）分离而形成的空间，冷却水能够在该空间中流通。作为磁铁单元（9），可以对应于比基材（W）窄幅的窄幅基材而配备短尺寸的尺寸者，作为靶材（7），对应于配备的磁铁单元（9）的宽度而配备短尺寸的尺寸者。
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公开(公告)号：CN103947301B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201280057411.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
IPC: H05H1/46 , C23C14/34 , C23C16/50 , F25D7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C16/50 , H01J37/32834 , H01J37/3402 , H01J37/3497
Abstract: 提供一种能够均匀且有效地冷却的等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置和冷却方法。真空等离子处理装置具备内部被真空排气的真空腔室、和设在上述真空腔室内的等离子产生源。等离子产生源具有：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；和减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成能够收容液体的冷却介质且将其减压的减压空间；用上述冷却介质通过上述减压蒸发时的气化热将上述等离子产生电极冷却。
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公开(公告)号：CN103703163A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280038128.6
申请日：2012-07-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/458 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/503 , C23C16/509 , F16J9/26 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32761 , H01J37/32779
Abstract: 本发明的等离子CVD装置具备：真空腔室；真空排气部，将上述真空腔室内真空排气；气体供给部，向上述真空腔室内供给原料气体；等离子产生电源，使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子；多个自转保持部，以自转的状态保持上述基材；和多个公转机构，使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转；上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中，所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上，所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。
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公开(公告)号：CN102575349B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
Abstract: 本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1675409A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03818927.5
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C28/00
Abstract: 提供制造耐热性特别优良的以α型晶体结构主体的氧化铝被膜的方法，其中包括：1)在具有由以Al和Ti为必要金属成分与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜的叠层被膜上，氧化该硬质被膜而形成氧化物含有层，在该氧化物含有层上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的方法；2)在形成由氧化物生成的标准自由能大于铝的金属与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜之后，氧化该硬质被膜的表面而形成氧化物含有层，接着，伴随该氧化物含有层表面的氧化物的还原，同时形成氧化铝被膜。
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公开(公告)号：CN1516750A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811894.4
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , C03B37/018 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , C03B37/0183 , C03B37/01884 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05B6/701 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: 是从设置在环状波导管(5)的内周部的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。
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公开(公告)号：CN103947301A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280057411.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
IPC: H05H1/46 , C23C14/34 , C23C16/50 , F25D7/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C16/50 , H01J37/32834 , H01J37/3402 , H01J37/3497
Abstract: 提供一种能够均匀且有效地冷却的等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置和冷却方法。真空等离子处理装置具备内部被真空排气的真空腔室、和设在上述真空腔室内的等离子产生源。等离子产生源具有：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；和减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成能够收容液体的冷却介质且将其减压的减压空间；用上述冷却介质通过上述减压蒸发时的气化热将上述等离子产生电极冷却。
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公开(公告)号：CN103649370A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033408.8
申请日：2012-07-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/32 , C23C14/505 , C23C16/4588 , C23C16/509 , H01J37/32036 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的真空成膜装置是在基材形成皮膜的真空成膜装置，具备：真空腔室；对所述真空腔室内进行真空排气的真空排气单元；以自转的状态保持作为成膜对象的所述基材的多个自转保持部；以及使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转的公转机构，所述多个自转保持部被分为多个组，以按每个组成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。例如，各组按时间交替地重复成为负的电极而作为在辉光放电等离子体生成中起到主体性的作用的作用极工作的状态和作为其异性极工作的状态。
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