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公开(公告)号：CN118367009A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410066751.7
申请日：2024-01-17
Inventor： 富田英干
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供沟槽栅极型半导体装置及其制造方法。沟槽栅极型半导体装置具备半导体基板、第一沟槽、第二沟槽、栅极绝缘膜、栅极电极和上部电极。半导体基板具有与上部电极相接的n型的第一半导体区域、配置于第一半导体区域的下侧且从与第一沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置延伸至与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置的p型的体区域和配置于体区域的下侧且从第一沟槽内的栅极绝缘膜延伸至与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置的n型的第二半导体区域。配置有体区域的深度范围的第一沟槽与第二沟槽之间的间隔的最大值小于200nm。半导体基板的上表面处的第一沟槽与第二沟槽之间的间隔比上述最大值大。沟槽栅极型半导体装置能够使沟道电阻及接触电阻双方降低。
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公开(公告)号：CN105322008B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510446730.9
申请日：2015-07-27
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/329
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/0895 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。HEMT和SBD两者形成在氮化物半导体衬底上。氮化物半导体衬底包括HEMT栅结构区和阳极电极区。第一层叠结构至少形成在HEMT栅结构区中，且包括第一至第三氮化物半导体层。至少在阳极电极区的一部分中形成第二层叠结构，且包括第一和第二氮化物半导体层。阳极电极接触第二氮化物半导体层的正面。至少在其中第二氮化物半导体层的正面接触阳极电极的接触区中，第二氮化物半导体层的正面被精加工成第二氮化物半导体层与阳极电极形成肖特基结的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105322008A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510446730.9
申请日：2015-07-27
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/329
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/0895 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/47 , H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。HEMT和SBD两者形成在氮化物半导体衬底上。氮化物半导体衬底包括HEMT栅结构区和阳极电极区。第一层叠结构至少形成在HEMT栅结构区中，且包括第一至第三氮化物半导体层。至少在阳极电极区的一部分中形成第二层叠结构，且包括第一和第二氮化物半导体层。阳极电极接触第二氮化物半导体层的正面。至少在其中第二氮化物半导体层的正面接触阳极电极的接触区中，第二氮化物半导体层的正面被精加工成第二氮化物半导体层与阳极电极形成肖特基结的表面。
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公开(公告)号：CN107871783A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710822062.4
申请日：2017-09-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66916 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L29/1066 , H01L29/1095 , H01L29/2003 , H01L29/66242 , H01L29/66522 , H01L29/66712 , H01L29/737 , H01L29/7787 , H01L29/7788 , H01L29/7802 , H01L29/7832 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。
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公开(公告)号：CN109638076A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811150563.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/2003 , H01L29/66712 , H01L29/66727 , H01L29/7395 , H01L29/7816 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/66969
Abstract: 一种氮化物半导体装置，包括氮化物半导体层、栅绝缘膜、源电极、漏电极以及栅电极。所述氮化物半导体层包括第一体层、第二体层、漂移层、第一源层以及第二源层。所述漂移层包括：第一漂移层，其从与所述第一体层的底面接触的位置延伸到与所述第二体层的底面接触的位置；以及电场缓和层，其与所述第一体层的侧面的下端部以及所述第二体层的侧面的下端部接触，并与所述第一漂移层接触，并且具有低于所述第一漂移层的第二导电型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN107871783B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201710822062.4
申请日：2017-09-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。
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