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公开(公告)号：CN114586170A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201980101515.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 喜田弘文 , 富田英干 , 森朋彦 , 山寺秀哉
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/12
Abstract: 一种半导体装置，具备被埋入到第1槽内的JFET区域，该第1槽设置在氮化物半导体层的元件部的一个主面，在氮化物半导体层的周边耐压部，在氮化物半导体层的一个主面设有第2槽，与沟道部邻接的第1槽的侧面的倾斜角小于第2槽的侧面的倾斜角。
