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    旋转传感器设备
    1.
    发明授权
    旋转传感器设备 失效

    公开(公告)号：CN100526904C

    公开(公告)日：2009-08-12

    申请号：CN200510133860.3

    申请日：2003-11-21

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 青建一 ,  铃木康利 ,  山寺秀哉 ,  太田则一 ,  船桥博文

    IPC: G01R33/09 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01L27/22 ,  G01P3/487 ,  G01R33/02 ,  Y10T428/1193

    Abstract: 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111952179B

    公开(公告)日：2023-12-19

    申请号：CN202010409494.4

    申请日：2020-05-14

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 池田徹 ,  森朋彦 ,  副岛成雅 ,  山寺秀哉

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

    Abstract: 本发明提供一种在由III族氮化物半导体制成的半导体基板中使损伤较少的c面露出的技术。半导体装置的制造方法具有：准备由III族氮化物半导体制成且主表面为c面的半导体基板的工序；通过对主表面进行干法蚀刻而在主表面形成槽部的工序；以及通过使用蚀刻液对槽部的内表面进行湿法蚀刻，而在蚀刻区域内使半导体基板的c面露出的工序，该蚀刻液对半导体基板的c面的蚀刻率与对半导体基板的c面以外的面的蚀刻率相比较低。

    半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111952179A

    公开(公告)日：2020-11-17

    申请号：CN202010409494.4

    申请日：2020-05-14

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 池田徹 ,  森朋彦 ,  副岛成雅 ,  山寺秀哉

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

    Abstract: 本发明提供一种在由III族氮化物半导体制成的半导体基板中使损伤较少的c面露出的技术。半导体装置的制造方法具有：准备由III族氮化物半导体制成且主表面为c面的半导体基板的工序；通过对主表面进行干法蚀刻而在主表面形成槽部的工序；以及通过使用蚀刻液对槽部的内表面进行湿法蚀刻，而在蚀刻区域内使半导体基板的c面露出的工序，该蚀刻液对半导体基板的c面的蚀刻率与对半导体基板的c面以外的面的蚀刻率相比较低。

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