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公开(公告)号：CN109891559B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880004039.7
申请日：2018-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置(30)的制造方法包含：形成主要成分为氧化物半导体的半导体层(31)；及在半导体层(31)的表面(31s)形成主要成分为氧化硅且氢原子浓度为1×1021个/cm3以下的绝缘体层(32)。
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公开(公告)号：CN110176388A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910119218.1
申请日：2019-02-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够减轻因绝缘体层的层积而引起的介电特性的劣化的电介质元件的制造方法和电介质元件。本发明的电介质元件的制造方法包括：形成包含表面的氧化物电介质层(12)；以及在氧化物电介质层(12)的表面形成上部绝缘体层(14)，该上部绝缘体层(14)以硅氧化物为主成分、且氢原子的浓度为1×1021个/cm3以下。上部绝缘体层(14)的形成中，通过等离子体CVD法形成上部绝缘体层(14)，该等离子体CVD法中使用了由不含氢的甲硅烷基异氰酸酯化合物构成的原料气体、以及不含氢的含氧气体。
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公开(公告)号：CN101032007A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580032569.5
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/18 , C23C16/34 , C07C49/92 , C07F1/08
CPC classification number: H01L21/28556 , C07C49/92 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/34 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。
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公开(公告)号：CN111918982A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202080002098.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/42 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。
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公开(公告)号：CN111052397A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880058156.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109891559A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201880004039.7
申请日：2018-08-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置(30)的制造方法包含：形成主要成分为氧化物半导体的半导体层(31)；及在半导体层(31)的表面(31s)形成主要成分为氧化硅且氢原子浓度为1×1021个/cm3以下的绝缘体层(32)。
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公开(公告)号：CN111052397B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880058156.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
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公开(公告)号：CN100537837C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580032568.0
申请日：2005-09-27
IPC: C23C16/18 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C07F7/18
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β-二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I-I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I-I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。
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公开(公告)号：CN100479114C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580032569.5
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/18 , C23C16/34 , C07C49/92 , C07F1/08
CPC classification number: H01L21/28556 , C07C49/92 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/34 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。
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公开(公告)号：CN101044261A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580032568.0
申请日：2005-09-27
IPC: C23C16/18 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C07F7/18
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β－二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I－I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I－I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。
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