公开(公告)号：CN101032007A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032569.5

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C07C49/92 ,  C07F1/08

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C07C49/92 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。

公开(公告)号：CN100537837C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580032568.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭 ,  角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β-二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I-I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I-I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。

公开(公告)号：CN100479114C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200580032569.5

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C07C49/92 ,  C07F1/08

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C07C49/92 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。

公开(公告)号：CN101044261A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580032568.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 渡部干雄 ,  座间秀昭 ,  角田巧 ,  长谷川千寻 ,  绵贯耕平

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β－二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I－I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I－I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。