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公开(公告)号：CN117577589A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311468540.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/13 , H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L23/538
Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。
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公开(公告)号：CN101547875B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880000967.2
申请日：2008-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/083
CPC classification number: H01L41/083 , C04B35/493 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/768 , C04B2235/85 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式Pbx-a-dBiaM3d{M1b(M21/3Nb2/3)yZr1-b-y-zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤(a-2b)、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈Ni偏析的状态。
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公开(公告)号：CN101547875A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000967.2
申请日：2008-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/49 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/083 , C04B35/493 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/768 , C04B2235/85 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式通式Pbx－a－dBiaM3d{M1b(M21/3Nb2/3)yZr1－b－y－zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤(a－2b)、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈Ni偏析的状态。
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公开(公告)号：CN117577590A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311468762.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/13 , H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L23/538
Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111566811B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880083793.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封
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公开(公告)号：CN111799057B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010090509.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在使用玻璃的电子部件中减少因烧制而产生的影响。电子部件具备：单层玻璃板；外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于上述单层玻璃板的外表面的上方；和端子电极，其为上述电气元件的端子，配置于上述单层玻璃板的外表面的上方，并与上述外表面导体电连接。
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公开(公告)号：CN111799057A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010090509.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在使用玻璃的电子部件中减少因烧制而产生的影响。电子部件具备：单层玻璃板；外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于上述单层玻璃板的外表面的上方；和端子电极，其为上述电气元件的端子，配置于上述单层玻璃板的外表面的上方，并与上述外表面导体电连接。
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公开(公告)号：CN111566811A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880083793.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。
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公开(公告)号：CN211376332U
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202020166582.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本实用新型提供电子部件和电子部件安装基板，在使用玻璃的电子部件中减少因烧制而产生的影响。电子部件具备：单层玻璃板；外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于上述单层玻璃板的外表面的上方；和端子电极，其为上述电气元件的端子，配置于上述单层玻璃板的外表面的上方，并与上述外表面导体电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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