Patent search ap:("株式会社村田制作所") AND inv:"青木欣也" Page 1

1.

发明公开
半导体复合装置及其所使用的封装基板

公开(公告)号：CN117577589A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311468540.8

申请日：2018-10-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 姫田高志 , 北村达矢 , 榊千春 , 清野绅弥 , 藤田颂 , 山本笃史 , 古川刚史 , 西山健次 , 舟木达弥 , 青木欣也

IPC: H01L23/13 , H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L23/538

Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。

2.

发明公开
半导体复合装置及其所使用的封装基板

公开(公告)号：CN117577590A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311468762.X

申请日：2018-10-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 姫田高志 , 北村达矢 , 榊千春 , 清野绅弥 , 藤田颂 , 山本笃史 , 古川刚史 , 西山健次 , 舟木达弥 , 青木欣也

IPC: H01L23/13 , H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L23/538

Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。

3.

发明授权
半导体复合装置及其所使用的封装基板有权

公开(公告)号：CN111566811B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201880083793.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 姫田高志 , 北村达矢 , 榊千春 , 清野绅弥 , 藤田颂 , 山本笃史 , 古川刚史 , 西山健次 , 舟木达弥 , 青木欣也

IPC: H01L25/00 , H01L23/12 , H05K1/16

Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封

4.

发明公开
半导体复合装置及其所使用的封装基板有权

公开(公告)号：CN111566811A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880083793.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 姫田高志 , 北村达矢 , 榊千春 , 清野绅弥 , 藤田颂 , 山本笃史 , 古川刚史 , 西山健次 , 舟木达弥 , 青木欣也

IPC: H01L25/00 , H01L23/12 , H05K1/16

Abstract: 本发明的半导体复合装置(10)具备电压调节器(VR)(100)、封装基板(200)以及负载(300)，将输入直流电压转换为不同的直流电压并供给至负载(300)。VR(100)包含半导体有源元件。封装基板(200)包含形成有电容器(230)的C层(210)、和形成有电感器(252)的L层(250)。在封装基板(200)形成在垂直于安装面的方向上贯通C层(210)以及L层(250)的多个通孔(260、262)。电容器(230)经由通孔(262)连接于负载(300)。电感器(252)经由通孔(262)连接于负载(300)，并且经由通孔(260)连接于VR(100)。

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