公开(公告)号：CN101547875B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200880000967.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 榊千春 ,  下村惠美 ,  坂井基祥 ,  中村玄德

IPC: H01L41/083

CPC classification number: H01L41/083 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/85 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式Pbx-a-dBiaM3d{M1b(M21/3Nb2/3)yZr1-b-y-zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤(a-2b)、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈Ni偏析的状态。

公开(公告)号：CN101547875A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000967.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 榊千春 ,  下村惠美 ,  坂井基祥 ,  中村玄德

IPC: C04B35/49 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/083 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/85 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式通式Pbx－a－dBiaM3d{M1b(M21/3Nb2/3)yZr1－b－y－zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤(a－2b)、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈Ni偏析的状态。