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公开(公告)号：CN106797207A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053202.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H9/02259 , H03H9/10 , H03H9/1057 , H03H9/173 , H03H9/2405 , H03H2009/155 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供压电振子以及压电振动装置，压电振子(13)为具备振动部(15)的压电振子(13)，振动部(15)具有Si层(22)，该Si层(22)是作为简并半导体的n型的Si层(22)，且具有0.5mΩcm以上0.9mΩcm以下的电阻率。
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公开(公告)号：CN105874709A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003676.9
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02244 , H03H3/0077 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/0504 , H03H9/17 , H03H9/171 , H03H2003/027 , H03H2003/0442 , H03H2009/02173 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供压电振子以及压电振动装置。能够高效地进行压电振子中的共振频率的调整。压电振子具备：第一电极以及第二电极；压电膜，其形成于第一电极与第二电极之间，并且具有与第一电极对置的第一面；以及第一调整膜以及第二调整膜，它们经由第一电极与压电膜的第一面对置地形成，第一调整膜在第一面中的至少第一区域与压电膜重叠，第二调整膜在第一面中的至少与第一区域不同的第二区域与压电膜重叠，通过第一区域以及第二区域覆盖第一面的大致全域，第二区域是在该压电振子的振动时位移比第一区域大的区域，第二调整膜由蚀刻所导致的质量减少的速度比第一调整膜快的材料形成。
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公开(公告)号：CN1248414C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03101033.4
申请日：2003-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/564 , H03H9/02015 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/568
Abstract: 一种包括衬底和振子的压电谐振器。振子包含薄膜部分，其包含至少一个设置在衬底上的压电薄膜层；和设置在衬底上的至少一对上电极和下电极。振子有这样的结构，其中薄膜部分通过在振子的深度方向上彼此相对的上电极和下电极，夹在振子的上表面和下表面之间；和由相对的上电极和下电极确定的振子重叠部分，从衬底的深度方向观看，具有区别于长方形和正方形的四边形形状，四边形形状具有基本平行的边，其纵向长度大体上等于或小于约10倍振荡波长，并且有至少一部分，其中相对的电极边缘之间的距离是变化的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117099041A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280025260.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中村大佐
IPC: G03B5/00
Abstract: 通过4个第一线圈(150A～150D)以及4个第一磁体(140A～140D)，能够生成使镜头模块(120)沿光轴(C)的方向(Z轴方向)移动的驱动力。通过4个第二线圈(170A～170D)以及4个第一磁体(140A～140D)，能够分别生成使基板(130)沿与光轴(C)的方向(Z轴方向)正交的面内方向(XY方向)中的第一方向(X轴方向)移动的驱动力、使基板(130)沿与光轴(C)的方向(Z轴方向)及第一方向(X轴方向)分别正交的第二方向(Y轴方向)移动的驱动力、以及使基板(130)绕光轴(C)旋转的驱动力。
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公开(公告)号：CN115735097A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046704.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01D5/12
Abstract: 磁传感器(7)能够对在光学反射元件旋转时进行相对移动的位置检测用磁体(6)所施加的磁场进行检测。位置检测用磁体(6)能够因光学反射元件的旋转而通过基准位置(B)，该基准位置(B)为从旋转轴(C)的轴向观察下旋转轴(C)、磁传感器(7)的中心(7c)、位置检测用磁体(6)的中心(6c)排列于直线上时的位置。磁传感器(7)配置于包含穿过位于基准位置(B)的位置检测用磁体(6)的中心(6c)的磁化方向(M)、以及旋转轴(C)的轴向的XZ平面内。
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公开(公告)号：CN106664075B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580041358.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/172 , H03H9/02259 , H03H9/0504 , H03H9/2405 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供一种抑制由振动部的不必要振动引起的保持体的振动，并且能够实现小型化的谐振器以及谐振装置。上述谐振器具备：振动部，其具有半导体层、形成在半导体层上的第一压电膜、以及形成于第一压电膜的上部的第一上部电极；保持体，其将振动部保持为能够振动；连结部，其连结振动部和保持体；以及振动抑制部，其具有形成在保持体上的第二压电膜和形成于第二压电膜的上部的第二上部电极。
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公开(公告)号：CN106664075A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580041358.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/172 , H03H9/02259 , H03H9/0504 , H03H9/2405 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供一种抑制由振动部的不必要振动引起的保持体的振动，并且能够实现小型化的谐振器以及谐振装置。上述谐振器具备：振动部，其具有半导体层、形成在半导体层上的第一压电膜、以及形成于第一压电膜的上部的第一上部电极；保持体，其将振动部保持为能够振动；连结部，其连结振动部和保持体；以及振动抑制部，其具有形成在保持体上的第二压电膜和形成于第二压电膜的上部的第二上部电极。
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公开(公告)号：CN117795359A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280053974.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，通过第一磁阻效应元件(MR1)和第四磁阻效应元件(MR4)各自的多个磁阻效应层叠体(110)的磁化固定层的磁化状态、与第二磁阻效应元件(MR2)和第三磁阻效应元件(MR3)各自的多个磁阻效应层叠体(110)的磁化固定层的磁化状态的差异，信号磁场的强度为0时的输出值从0移动。
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