公开(公告)号：CN117795359A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280053974.9

申请日：2022-06-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村大佐 ,  指宿隆弘

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，通过第一磁阻效应元件(MR1)和第四磁阻效应元件(MR4)各自的多个磁阻效应层叠体(110)的磁化固定层的磁化状态、与第二磁阻效应元件(MR2)和第三磁阻效应元件(MR3)各自的多个磁阻效应层叠体(110)的磁化固定层的磁化状态的差异，信号磁场的强度为0时的输出值从0移动。

公开(公告)号：CN117136647A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280025264.5

申请日：2022-03-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 指宿隆弘

IPC: H10N59/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件各自包括上部电极(120)、下部电极(130)、以及夹在上部电极(120)和下部电极(130)之间的磁阻效应层叠体(110)。在磁阻效应层叠体(110)中，依次层叠具有沿一定方向固定的磁化的磁化固定层、第一非磁性层、以及磁化方向根据信号磁场而变化的磁化自由层。在磁阻效应层叠体(110)的层叠方向上，上部电极(120)位于磁化自由层的与第一非磁性层侧相反的一侧。上部电极(120)和下部电极(130)各自由包括磁性体的磁性体膜构成。