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公开(公告)号：CN104302706B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280061158.9
申请日：2012-11-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C08L101/00 , C03C12/00 , C03C14/00 , C08K3/22 , C08K7/14 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C08J5/12 , C03C3/21 , C03C12/00 , C03C14/00 , C03C2214/12 , C03C2214/30 , C08J3/28 , C08J2325/06 , C08J2363/00 , C08K7/14 , C09D7/61 , C09D125/06 , C09D163/00
Abstract: 通过简单的工艺提高复合材料的机械强度。在具备树脂或橡胶，和氧化物玻璃的复合材料中，所述树脂或橡胶分散于所述氧化物玻璃中，或所述氧化物玻璃分散于所述树脂或橡胶中。该复合材料中，所述氧化物玻璃具有通过电磁波而软化流动的功能。
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公开(公告)号：CN104039547B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280064588.6
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B32B17/10 , B32B27/36 , C03C3/12 , H01L51/52 , H01L31/048
CPC classification number: H01L31/0481 , B32B17/10788 , B32B27/365 , C03C3/122 , H01L31/048 , H01L51/524 , Y02E10/50 , Y10T428/31507 , Y10T428/31623
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其由包含树脂或橡胶的基材和氧化物玻璃构成，并且提高了层叠体的阻气性。层叠体(8)，其具备：包含树脂或橡胶的基材(9)和形成于所述基材的至少一个表面上的氧化物玻璃(10)，其中，所述氧化物玻璃在所述基材的软化温度以下软化流动，与所述基材粘接。
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公开(公告)号：CN101021592A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710003975.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B81C1/0046 , B29C43/021 , B29C2043/025 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供在用纳米转印法制作的具有凹凸的结构体中，可以很容易地只在该凹部或该凸部的特定的部位上有选择地实施物理或化学修复的方法。通过将具有凹凸的模板按压在至少由化学成分彼此不同的2层构成的高分子基板上，一直被最表面层掩盖的、从表面开始数第2个层作为柱状物部的剖面而显露出来。通过预先将该第2个层在化学方面设为所需的成分，或者，在形成了柱状物之后将第2个层的剖面进行化学修复的方式，可以实现部位特异的柱状物的化学修复。
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公开(公告)号：CN1295346A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00121793.3
申请日：1998-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 秋田电子株式会社
CPC classification number: H01L24/50 , H01L23/3114 , H01L23/49572 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/1433 , H01L2924/3025
Abstract: 片尺寸半导体封装,包括外围设有多个连接端的芯片;设于芯片主表面上使连接端暴露的弹性体;弹性体上的绝缘带,在连接端处有开口;绝缘带上表面上的多根引线,其一端与连接端连接,另一端设置于弹性体上;引线另一端上的多个突点电极;及密封半导体芯片的连接端及引线的一端的密封体,其中绝缘带在外围附近伸出芯片,树脂体的形状由绝缘带的伸出部分限定。弹性体包括多孔材料,具有与绝缘带相同的形状,侧面之一暴露于外部环境。
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公开(公告)号：CN1207583A
公开(公告)日：1999-02-10
申请号：CN98102973.6
申请日：1998-06-06
CPC classification number: H01L24/50 , H01L23/3107 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/73215 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力,在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中,作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层,设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上,由于采用粘接薄片可简化制造工序,所以能够大量生产并提高封装可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101118380B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710139957.4
申请日：2007-08-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G11B7/263 , B29C33/303 , B29C43/003 , B29C43/021 , B29C43/58 , B29C2043/025 , B29C2043/043 , B29C2043/3602 , B29C2043/3634 , B29C2043/5833 , B29L2011/0075 , B29L2017/005 , B29L2031/756
Abstract: 本发明是一种压印方法，其特征在于，包括：在调整所述压模和所述被转印体的相对位置时，至少检测2点以上所述被转印体的端部位置，根据检测的端部位置计算任意点的步骤；根据所述压模的端部或形成在压模上的对准标记检测压模的位置的步骤；根据所述任意点和压模的位置调整所述被转印体和所述压模的相对位置的步骤。在压印方法和装置中，不在被转印体设置对准图案，能以高精度把被转印体和压模的相对位置对准。
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公开(公告)号：CN100514098C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710003975.X
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B81C1/0046 , B29C43/021 , B29C2043/025 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供在用纳米转印法制作的具有凹凸的结构体中，可以很容易地只在该凹部或该凸部的特定的部位上有选择地实施物理或化学修复的方法。通过将具有凹凸的模板按压在至少由化学成分彼此不同的2层构成的高分子基板上，一直被最表面层掩盖的、从表面开始数第2个层作为柱状物部的剖面而显露出来。通过预先将该第2个层在化学方面设为所需的成分，或者，在形成了柱状物之后将第2个层的剖面进行化学修复的方式，可以实现部位特异的柱状物的化学修复。
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公开(公告)号：CN1637132A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410094731.3
申请日：2004-11-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C12M3/00
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简便而且简单的构造可以防止剥离时对细胞的损伤、促进营养物的运输、旧废物排出的细胞培养容器。为了解决上述课题，本发明的特征是：于细胞培养容器的底面形成相当直径在10nm以上10μm以下，高在10nm以上1mm以下的突起群的细胞培养容器。通过该特征可以提供使培养液进入到细胞的下部，在促进细胞必需的营养物的供给和细胞放出的旧废物的排出的同时，通过使细胞和容器进行点接触可以防止在细胞剥离时发生的细胞损伤的细胞培养容器。
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公开(公告)号：CN1272959A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN98809718.4
申请日：1998-06-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/02145 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/14153 , H01L2224/16227 , H01L2224/73203 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置具有:形成了集成电路的半导体元件;在该半导体元件的集成电路形成面一侧形成的多个电极焊区;通过导体层导电性地连接到该电极焊区上的外部连接用的凸点电极;以及在该集成电路形成面与该电极焊区和该凸点电极与该导体层之间形成的、粘接到这些部分上的应力缓和层,从该应力缓和层的表面起将该应力缓和层切除3分之1以上,将该应力缓和层分割为多个区域。按照本发明,能以低成本提供可靠性良好、能实现高密度安装的半导体装置。
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公开(公告)号：CN103987791B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280061149.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C08L101/00 , C03C14/00 , C08J5/08 , C08K3/40 , C09D201/00
CPC classification number: C08K3/40 , C03C3/122 , C03C3/21 , C03C13/00 , C03C14/00 , C08J5/10 , C09D125/06 , F03D1/0675 , Y02E10/721
Abstract: 本发明通过简单的工艺提高了复合材料的机械强度。在具备树脂或橡胶、以及氧化物玻璃的复合材料中，所述树脂或橡胶分散于所述氧化物玻璃中，或所述氧化物玻璃分散于所述树脂或橡胶中，通过加热，所述氧化物玻璃在所述树脂或橡胶的热分解温度以下软化流动。
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