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公开(公告)号:CN113758266A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110562879.9
申请日:2021-05-24
Abstract: 本发明提供一种能够以短时间来进行脱脂处理的脱脂炉及脱脂方法。脱脂炉(10)包括:炉本体(14),收纳包含陶瓷的被脱脂物(12);气体源(16),供给至所述炉本体(14)的惰性气体;加热装置,使所述惰性气体升温;生成饱和蒸气的饱和蒸气生成装置(18)或者液体的液体源(48);以及过热器(20),对所述炉本体(14)供给惰性气体后,由所述液体或饱和蒸气来生成过热蒸气,并对炉本体(14)供给过热蒸气。
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公开(公告)号:CN101779131A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200780100192.1
申请日:2007-09-27
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G09G3/006 , G01R31/309
Abstract: 在基于对规定时间宽度内的输入信号进行积分而获得的积分值来进行的数据处理中,在进行积分的前处理阶段,按照时间序列地将输入信号乘以参考信号,据此,按照时间序列地改变输入信号的信号电平,基于已改变的信号来产生数据信号。通过按照时间序列地改变输入信号的信号电平,来强调各输入信号的波形特征,从而获得反映出检测信号的时间性变化的积分值。可从积分值中对各检测信号的时间性变化进行分选,并可将测定对象的波形信号抽出。根据本发明来缩短数据处理时间,并简化数据处理的构成。
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公开(公告)号:CN114322558B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202110375410.4
申请日:2021-04-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 本发明提供一种可在适当的时间内进行脱脂的脱脂炉及脱脂方法。脱脂炉(10)包括:炉主体(14),收容被脱脂物(12);对所述炉主体(14)供给的惰性气体的气体源(16);加热装置(30),对所述惰性气体进行加热;以及气体监视器(18),对自所述被脱脂物(12)产生的气体进行检测。脱脂方法包括:在炉主体(14)收纳被脱脂物(12)的工序;使惰性气体升温的工序;利用所述升温后的惰性气体对被脱脂物(12)进行脱脂的工序;以及利用气体监视器(18)对自所述被脱脂物(12)产生的气体进行检测的工序。
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公开(公告)号:CN106978582A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201610917404.6
申请日:2016-10-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/02 , C23C14/022 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括:加热工序,将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度;搬入工序,将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内;减压工序,对成膜腔室内进行减压;非反应性气体供给工序,将非反应性气体供给至成膜腔室内;等离子体工序,对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压;以及溅射工序,对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。
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公开(公告)号:CN101359613B
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200810111266.8
申请日:2008-06-05
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor: 吉冈尚规
IPC: H01L21/66 , G01R31/02 , H01J37/244
Abstract: 一种TFT阵列检测装置,以缩短TFT阵列基板的各种缺陷检测所需的时间。此TFT阵列检测装置通过优化能量过滤器的电压条件来提高检测信号的检测效率。该检测装置将驱动信号供给到TFT阵列基板而驱动此TFT阵列基板,并对向以此受到驱动的TFT阵列基板的像素照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选而进行检测,根据所获得的二次电子信号强度来检测TFT阵列基板的缺陷,此TFT阵列检测装置包括:能量过滤器,进行能量筛选;及二次电子检测器,对通过能量过滤器后的二次电子进行检测。能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步切换。通过使能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步,可根据驱动图案而将二次电子检测的检测条件设定为最佳,而提高检测效率。
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公开(公告)号:CN101359613A
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200810111266.8
申请日:2008-06-05
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor: 吉冈尚规
IPC: H01L21/66 , G01R31/02 , H01J37/244
Abstract: 一种TFT阵列检测装置,以缩短TFT阵列基板的各种缺陷检测所需的时间。此TFT阵列检测装置通过优化能量过滤器的电压条件来提高检测信号的检测效率。该检测装置将驱动信号供给到TFT阵列基板而驱动此TFT阵列基板,并对向以此受到驱动的TFT阵列基板的像素照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选而进行检测,根据所获得的二次电子信号强度来检测TFT阵列基板的缺陷,此TFT阵列检测装置包括:能量过滤器,进行能量筛选;及二次电子检测器,对通过能量过滤器后的二次电子进行检测。能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步切换。通过使能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步,可根据驱动图案而将二次电子检测的检测条件设定为最佳,而提高检测效率。
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公开(公告)号:CN114929926A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202080092190.8
申请日:2020-02-28
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 本发明的带金属膜的物体包括:基材,包含树脂或玻璃;金属膜,覆盖基材的至少一部分;第一层,位于基材与金属膜之间,以构成金属膜的金属的氧化物为主成分;以及第二层,位于所述基材与所述第一层之间,以所述基材的组合物的氧化物为主成分,所述第一层对所述第二层的密接强度为3[N/cm]以上。
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公开(公告)号:CN114322558A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202110375410.4
申请日:2021-04-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 本发明提供一种可在适当的时间内进行脱脂的脱脂炉及脱脂方法。脱脂炉(10)包括:炉主体(14),收容被脱脂物(12);对所述炉主体(14)供给的惰性气体的气体源(16);加热装置(30),对所述惰性气体进行加热;以及气体监视器(18),对自所述被脱脂物(12)产生的气体进行检测。脱脂方法包括:在炉主体(14)收纳被脱脂物(12)的工序;使惰性气体升温的工序;利用所述升温后的惰性气体对被脱脂物(12)进行脱脂的工序;以及利用气体监视器(18)对自所述被脱脂物(12)产生的气体进行检测的工序。
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公开(公告)号:CN112292473A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN201980035587.0
申请日:2019-05-31
Abstract: 导电膜形成方法包括:在远离耐压腔室内所设置的高密度等离子体产生源的位置配置处理对象物;对耐压腔室内进行减压;对等离子体产生源供给反应气体而形成等离子体状态;使处理对象物曝露于等离子体产生源中经高反应性化的反应气体中;不使曝露于反应气体的处理对象物曝露于大气中而对处理对象物的表面的一部分进行种晶层的成膜;通过无电解电镀、电解电镀或干式成膜工艺在成膜于处理对象物的种晶层的表面的一部分形成金属膜;以及对形成有种晶层及金属膜的处理对象物进行热处理。
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公开(公告)号:CN106498371A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201610188203.7
申请日:2016-03-29
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法,减少成膜物从电极剥离。成膜装置包括:腔室,存放工件;电极,配置在腔室内部,为了在工件上进行成膜而供给电力;以及温度调整装置,调整电极的温度,以使得在工件上进行成膜的一连串成膜处理中,在工件上进行成膜的成膜工序与成膜工序以外的工序中,电极的温度为大致固定,以免堆积于电极的成膜物从电极剥离。
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