公开(公告)号：CN102308202A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200980156196.0

申请日：2009-02-04

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 西原隆治

IPC: G01N23/225 ,  G01R31/26 ,  G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/305 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列检查方法以及TFT阵列检查装置。在用于驱动像素的驱动模式中，使用在一个栅极周期内将施加于像素的电压仅设为正电压或负电压中的一种电压，并在一个周期内使像素保持正电压或负电压中的一种电压的驱动模式来驱动TFT阵列。通过使用该驱动模式使像素在一个栅极周期中的电压保持时间内保持正电压或负电压中的一种电压。由此，能够删除不利于缺陷检测的电压保持时间，因此能够消除对在不利于该缺陷检查的电压保持时间内进行检测的像素电压产生的影响，从而能够提高缺陷检测率。

公开(公告)号：CN102308202B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980156196.0

申请日：2009-02-04

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 西原隆治

IPC: G09G3/00

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/305 ,  G09G3/3648

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列检查方法以及TFT阵列检查装置。在用于驱动像素的驱动模式中，使用在一个栅极周期内将施加于像素的电压仅设为正电压或负电压中的一种电压，并在一个周期内使像素保持正电压或负电压中的一种电压的驱动模式来驱动TFT阵列。通过使用该驱动模式使像素在一个栅极周期中的电压保持时间内保持正电压或负电压中的一种电压。由此，能够删除不利于缺陷检测的电压保持时间，因此能够消除对在不利于该缺陷检查的电压保持时间内进行检测的像素电压产生的影响，从而能够提高缺陷检测率。

公开(公告)号：CN102792172B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080065326.2

申请日：2010-06-10

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 西原隆治

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/225

CPC classification number: G01R31/305 ,  G09G3/006 ,  G09G2330/12

Abstract: 一种TFT阵列检查的电子束扫描方法以及TFT阵列检查装置，对TFT基板的面板施加规定电压的检查信号以驱动阵列，对面板上照射电子束进行扫描，基于在该电子束扫描中检测到的检测信号来检查TFT基板的阵列，针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素列或沿栅极方向排列的像素列，沿着与像素列的排列方向相同的方向来使电子束进行扫描，并在进行扫描的像素列中的各像素中，将第1点电子束照射位置与第2点电子束照射位置设为在该像素内于对角线上夹着像素列的中心线而相向的位置，在对像素列扫描一次期间内对该像素列进行二维扫描。由此，降低二次电子检测器的余辉时间影响，减少缺陷检测的检测精度的下降，减少因噪声造成的缺陷误检测的发生。

公开(公告)号：CN106498371A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610188203.7

申请日：2016-03-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 徳嵩佑 ,  尾崎悟 ,  吉冈尚规 ,  田中优 ,  西原隆治

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，减少成膜物从电极剥离。成膜装置包括：腔室，存放工件；电极，配置在腔室内部，为了在工件上进行成膜而供给电力；以及温度调整装置，调整电极的温度，以使得在工件上进行成膜的一连串成膜处理中，在工件上进行成膜的成膜工序与成膜工序以外的工序中，电极的温度为大致固定，以免堆积于电极的成膜物从电极剥离。

公开(公告)号：CN102792172A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201080065326.2

申请日：2010-06-10

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 西原隆治

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/225

CPC classification number: G01R31/305 ,  G09G3/006 ,  G09G2330/12

Abstract: 本发明涉及TFT阵列检查的电子束扫描，即，对TFT基板的面板施加规定电压的检查信号以驱动阵列，对面板上照射电子束来进行扫描，并基于在该电子束扫描中检测到的检测信号来检查TFT基板的阵列，针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素列或沿栅极方向排列的像素列，沿着与像素列的排列方向相同的方向来使电子束进行扫描，并且在进行扫描的像素列中的各像素中，将第1点的电子束照射位置与第2点的电子束照射位置设为在该像素内于对角线上夹着像素列的中心线而相向的位置，在对像素列扫描一次的期间内对该像素列进行二维扫描。由此，降低二次电子检测器的余辉时间的影响，减少缺陷检测的检测精度的下降，减少因噪声造成的缺陷误检测的发生。