公开(公告)号：CN106978582A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610917404.6

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  吉冈尚规 ,  上野智子 ,  尾崎悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/205 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括：加热工序，将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度；搬入工序，将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内；减压工序，对成膜腔室内进行减压；非反应性气体供给工序，将非反应性气体供给至成膜腔室内；等离子体工序，对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压；以及溅射工序，对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。

公开(公告)号：CN105939847A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006176.0

申请日：2015-01-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  今井大辅 ,  尾崎悟 ,  德嵩佑

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/082 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C16/42 ,  G02B5/08

CPC classification number: C23C14/024 ,  C22C21/00 ,  C23C14/205 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  G02B5/0808

Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上制成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件W上形成Al薄膜102，由工件W与Al薄膜102层叠而成，在工件W与Al薄膜102之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域101。在混合区域101中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。

公开(公告)号：CN105939847B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201580006176.0

申请日：2015-01-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  今井大辅 ,  尾崎悟 ,  德嵩佑

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/082 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C16/42 ,  G02B5/08

CPC classification number: C23C14/024 ,  C22C21/00 ,  C23C14/205 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  G02B5/0808

Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上形成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件(W)上形成Al薄膜(102)，由工件(W)与Al薄膜(102)层叠而成，在工件(W)与Al薄膜(102)之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域(101)。在混合区域(101)中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。

公开(公告)号：CN105555995B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201480043229.1

申请日：2014-07-08

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 尾崎悟 ,  徳嵩佑

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法。此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。作为该涡轮分子泵37，使用最大排气速度为每秒300公升以上。

公开(公告)号：CN105555995A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480043229.1

申请日：2014-07-08

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 尾崎悟 ,  徳嵩佑

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3321

Abstract: 此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。作为该涡轮分子泵37，使用最大排气速度为每秒300公升以上。

公开(公告)号：CN106498371A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610188203.7

申请日：2016-03-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 徳嵩佑 ,  尾崎悟 ,  吉冈尚规 ,  田中优 ,  西原隆治

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，减少成膜物从电极剥离。成膜装置包括：腔室，存放工件；电极，配置在腔室内部，为了在工件上进行成膜而供给电力；以及温度调整装置，调整电极的温度，以使得在工件上进行成膜的一连串成膜处理中，在工件上进行成膜的成膜工序与成膜工序以外的工序中，电极的温度为大致固定，以免堆积于电极的成膜物从电极剥离。

公开(公告)号：CN106480402A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610390680.1

申请日：2016-06-02

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  徳田敏 ,  吉冈尚规 ,  上野智子 ,  尾崎悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/32715 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  C23C14/02 ,  C23C14/205

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，在聚碳酸酯上形成金属薄膜的情况下，能防止金属薄膜剥离，另外，在其他树脂上形成金属薄膜的情况下，能提高金属薄膜的反射率。在不会使水分附着于从树脂成型机(63)搬出的成型后的工件(W)的表面的60秒以内的短时间内，完成从树脂成型机(63)中的工件导入部(62)向成膜腔室件(W)的表面在成膜过程中发生水解，从而能防止通过溅射而形成的金属薄膜剥离这一现象。另外，通过减少附着于树脂基材的水分，能防止Al氧化而获得良好的反射率。(10)搬送工件(W)。由此，能防止聚碳酸酯制的工