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公开(公告)号：CN115704106B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210915294.5
申请日：2022-08-01
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×1012cm‑3。
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公开(公告)号：CN109841542B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201811380441.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C30B29/36 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。
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公开(公告)号：CN113053799B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011484053.7
申请日：2020-12-16
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种应用于圆盘状晶圆的表面处理的基座，其中，所述基座具有与所述圆盘状晶圆的背面接触从而对所述圆盘状晶圆的背面进行支撑的至少三个支撑部，所述支撑部设置于所述基座的凸区域，在与所述圆盘状晶圆平行的平面视图中，所述支撑部的面积与所述凸区域的面积之比为10％以下。
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公开(公告)号：CN111261548B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201911188852.7
申请日：2019-11-28
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C23C16/54
Abstract: 本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261502B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201911163010.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。
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公开(公告)号：CN119967884A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411574588.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H10D62/832 , H10D62/10 , H10D62/50
Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、三角缺陷密度少、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片，本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上。所述SiC外延层的三角缺陷的密度为0.2个/cm2以下，载流子浓度的偏差为20％以下。
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公开(公告)号：CN119967883A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411574504.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H10D62/832 , H10D62/10
Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、板厚薄、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片，本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上，板厚为460μm以下。所述SiC外延层的载流子浓度的偏差为20％以下。
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公开(公告)号：CN119967882A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411574345.8
申请日：2024-11-06
Applicant: 株式会社力森诺科
Inventor： 梅田喜一
IPC: H10D62/832 , H10D62/50 , H10D62/10
Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、板厚薄、三角缺陷少的SiC外延晶片。本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上，板厚为460μm以下。所述SiC外延层的三角缺陷的密度为0.2个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN117026378A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311023019.3
申请日：2022-08-01
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C30B29/36 , H01L21/205 , H01L29/16 , C30B25/20
Abstract: 本公开涉及SiC外延晶片及SiC器件，该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的由二次离子质谱分析法测定出的所述硼的浓度为小于5.0×1012cm‑3。
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