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公开(公告)号：CN109841542B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201811380441.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C30B29/36 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。
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