公开(公告)号：CN115704106B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202210915294.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×1012cm‑3。

公开(公告)号：CN117712149A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311170796.0

申请日：2023-09-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田中健胜 ,  金田一麟平 ,  大内真理绘

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开提供SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。目的在于提供载流子浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC外延层，所述SiC外延层的载流子浓度均匀性小于3.8％，所述载流子浓度均匀性是将沿着通过俯视时的所述SiC外延层的中心的直线测定出的所述SiC外延层的载流子浓度的最大值与最小值之差除以平均值而得到的值。

公开(公告)号：CN117026378A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311023019.3

申请日：2022-08-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H01L29/16 ,  C30B25/20

Abstract: 本公开涉及SiC外延晶片及SiC器件，该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的由二次离子质谱分析法测定出的所述硼的浓度为小于5.0×1012cm‑3。