公开(公告)号：CN117712149A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311170796.0

申请日：2023-09-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田中健胜 ,  金田一麟平 ,  大内真理绘

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开提供SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。目的在于提供载流子浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC外延层，所述SiC外延层的载流子浓度均匀性小于3.8％，所述载流子浓度均匀性是将沿着通过俯视时的所述SiC外延层的中心的直线测定出的所述SiC外延层的载流子浓度的最大值与最小值之差除以平均值而得到的值。

公开(公告)号：CN117144472A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310495584.3

申请日：2023-05-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 周防裕政 ,  金田一麟平 ,  山下任

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC基板和SiC外延晶片。本发明的SiC基板，在将从中心起沿[11‑20]方向距离外周端向内侧10mm的点作为第1外周点，并将从中心起直径10mm的圆内的任意点作为第1中心点时，所述第1外周点上的所述第1外周点的周向即 方向上的拉伸应力，比所述第1中心点上的与所述第1外周点的周向相同的方向即 方向上的拉伸应力大。上述SiC基板能够抑制层叠SiC外延层等表面处理后的翘曲。

公开(公告)号：CN117144468A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310173851.5

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 周防裕政 ,  金田一麟平

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明为SiC基板以及SiC外延晶片。本发明的目的是提供即使经过加工工艺也难翘曲的SiC基板以及SiC外延晶片。本实施方式涉及的SiC基板，由厚度、直径和在从中心起的[11‑20]方向上距外周端为10mm的内侧的第1外周端的应力求出的翘曲因子F为300μm以下。