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公开(公告)号：CN119530976A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411188470.5
申请日：2024-08-28
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明的目的在于提供能够高效地取得许多SiC基板的SiC单晶晶块、SiC单晶晶块的制造方法以及SiC基板的制造方法。本实施方式涉及的SiC单晶晶块在与晶体生长方向正交的切割面中，包括通过所述切割面所内包的最大的内接圆的中心且将所述切割面的第1外周点与第2外周点连接的线段的长度为211mm以上且221mm以下的部分。
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公开(公告)号：CN117166052A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310170859.6
申请日：2023-02-27
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明为SiC基板以及SiC锭。本发明的目的是提供在激光加工时容易加工的SiC基板以及SiC锭。本实施方式涉及的SiC基板，在测定多个第1测定点和2个第2测定点的电阻率时，所述多个第1测定点和所述2个第2测定点的各自的电阻率之中最大电阻率与最小电阻率之差为2mΩ·cm以下，所述多个第1测定点位于比距外周端向内侧5mm的边界靠内侧的区域，且包含中心和从所述中心起向[11‑20]方向或[‑1‑120]方向依次离开10mm的多个测定点，所述2个第2测定点处在距外周端1mm的内侧，且分别位于从中心起的[11‑20]方向和从中心起的[‑1‑120]方向。
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公开(公告)号：CN119359785A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410979211.8
申请日：2024-07-22
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 提供一种SiC基板的评价方法、SiC基板的制造方法及SiC基板的评价装置。本实施方式涉及的SiC基板的评价方法包括：图像取得步骤，取得SiC基板的第1面整体的X射线形貌图像；和推定步骤，基于深度学习的学习结果，从所述SiC基板的所述第1面整体的X射线形貌图像推定所述SiC基板的基底面位错密度。
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公开(公告)号：CN117144472A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310495584.3
申请日：2023-05-05
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明涉及SiC基板和SiC外延晶片。本发明的SiC基板，在将从中心起沿[11‑20]方向距离外周端向内侧10mm的点作为第1外周点，并将从中心起直径10mm的圆内的任意点作为第1中心点时，所述第1外周点上的所述第1外周点的周向即 方向上的拉伸应力，比所述第1中心点上的与所述第1外周点的周向相同的方向即 方向上的拉伸应力大。上述SiC基板能够抑制层叠SiC外延层等表面处理后的翘曲。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117166044A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310175268.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明提供一种在激光加工时容易加工的SiC基板和SiC晶锭。本实施方式的SiC基板，在包括中心以及从所述中心开始在[11‑20]方向或[‑1‑120]方向上相距10mm的多个测定点在内的多个第1测定点之中，相邻的任意2个测定点对于波长1064nm的光的吸收系数之差为0.25cm‑1以下。
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公开(公告)号：CN117144471A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310495533.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明提供一种不易产生不良的SiC基板和SiC外延晶片。本发明的SiC基板，在由内周支持面进行内周支持时，将上表面之中沿厚度方向观察时与所述内周支持面重叠的第1点相连形成的面作为第1基准面，将比所述第1基准面靠上方作为正时，弯曲度小于40μm，所述内周支持面位于从中心起半径17.5mm的圆周所重叠的位置。
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