公开(公告)号：CN117166052A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310170859.6

申请日：2023-02-27

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 伊藤正人 ,  周防裕政

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/04 ,  C30B33/04

Abstract: 本发明为SiC基板以及SiC锭。本发明的目的是提供在激光加工时容易加工的SiC基板以及SiC锭。本实施方式涉及的SiC基板，在测定多个第1测定点和2个第2测定点的电阻率时，所述多个第1测定点和所述2个第2测定点的各自的电阻率之中最大电阻率与最小电阻率之差为2mΩ·cm以下，所述多个第1测定点位于比距外周端向内侧5mm的边界靠内侧的区域，且包含中心和从所述中心起向[11‑20]方向或[‑1‑120]方向依次离开10mm的多个测定点，所述2个第2测定点处在距外周端1mm的内侧，且分别位于从中心起的[11‑20]方向和从中心起的[‑1‑120]方向。

公开(公告)号：CN117166044A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310175268.8

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 伊藤正人 ,  周防裕政

IPC: C30B23/02 ,  H01L29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供一种在激光加工时容易加工的SiC基板和SiC晶锭。本实施方式的SiC基板，在包括中心以及从所述中心开始在[11‑20]方向或[‑1‑120]方向上相距10mm的多个测定点在内的多个第1测定点之中，相邻的任意2个测定点对于波长1064nm的光的吸收系数之差为0.25cm‑1以下。

公开(公告)号：CN117174575A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310170155.9

申请日：2023-02-27

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 伊藤正人 ,  周防裕政

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明提供一种在激光加工时容易加工的SiC基板和SiC晶锭。本实施方式的SiC基板，将对于波长1064nm的光的吸收系数的最大值与最小值之差为0.25cm‑1以下的区域作为第1区域，所述第1区域所占的比例是总面积的70％以上。