公开(公告)号：CN112018166B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010971410.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板的第1面上层叠的外延层，所述SiC外延晶片中，所述SiC基板的第1面的带状堆垛层错所占的面积被确定，所述SiC基板的第1面的所述带状堆垛层错所占的面积为1/4以下。

公开(公告)号：CN117144471A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310495533.0

申请日：2023-05-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西原祯孝 ,  周防裕政

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种不易产生不良的SiC基板和SiC外延晶片。本发明的SiC基板，在由内周支持面进行内周支持时，将上表面之中沿厚度方向观察时与所述内周支持面重叠的第1点相连形成的面作为第1基准面，将比所述第1基准面靠上方作为正时，弯曲度小于40μm，所述内周支持面位于从中心起半径17.5mm的圆周所重叠的位置。

公开(公告)号：CN109887853B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201811449365.7

申请日：2018-11-30

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片的步骤；对所述杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层照射激发光的步骤；以及经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面的第1观察步骤。

公开(公告)号：CN119894063A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411428227.6

申请日：2024-10-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西原祯孝

IPC: H10D62/832 ,  H10D62/50

Abstract: 本实施方式涉及的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板上成膜的SiC外延层，所述SiC基板的基底面位错的密度为1个/cm2以上且3000个/cm2以下，所述SiC外延层中，双肖克利(2SSF)型的堆垛层错的密度为4个/cm2以上且10个/cm2以下，所述双肖克利(2SSF)型的堆垛层错以外的堆垛层错的密度为2个/cm2以下。

公开(公告)号：CN111063730B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201910978671.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20

Abstract: 提供一种在SiC外延晶片的制造中难以破裂的SiC基板。本发明的SiC基板(1)具备：第1主面(1a)、配置于第1主面(1a)的相反侧的第2主面(1b)及连结于第1主面(1a)和第2主面(1b)的外周(1c)，存在于SiC基板的周端部(1A)的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm2以上且10个/cm2以下。