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公开(公告)号：CN117144472A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310495584.3
申请日：2023-05-05
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明涉及SiC基板和SiC外延晶片。本发明的SiC基板，在将从中心起沿[11‑20]方向距离外周端向内侧10mm的点作为第1外周点，并将从中心起直径10mm的圆内的任意点作为第1中心点时，所述第1外周点上的所述第1外周点的周向即 方向上的拉伸应力，比所述第1中心点上的与所述第1外周点的周向相同的方向即 方向上的拉伸应力大。上述SiC基板能够抑制层叠SiC外延层等表面处理后的翘曲。
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