公开(公告)号：CN119967884A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411574588.1

申请日：2024-11-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 梅田喜一 ,  大内真理绘

IPC: H10D62/832 ,  H10D62/10 ,  H10D62/50

Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、三角缺陷密度少、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片，本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上。所述SiC外延层的三角缺陷的密度为0.2个/cm2以下，载流子浓度的偏差为20％以下。

公开(公告)号：CN119967883A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411574504.4

申请日：2024-11-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 梅田喜一 ,  大内真理绘

IPC: H10D62/832 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、板厚薄、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片，本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上，板厚为460μm以下。所述SiC外延层的载流子浓度的偏差为20％以下。

公开(公告)号：CN117712149A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311170796.0

申请日：2023-09-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田中健胜 ,  金田一麟平 ,  大内真理绘

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开提供SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。目的在于提供载流子浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC外延层，所述SiC外延层的载流子浓度均匀性小于3.8％，所述载流子浓度均匀性是将沿着通过俯视时的所述SiC外延层的中心的直线测定出的所述SiC外延层的载流子浓度的最大值与最小值之差除以平均值而得到的值。