公开(公告)号：CN111261548B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201911188852.7

申请日：2019-11-28

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。

公开(公告)号：CN111261502B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201911163010.6

申请日：2019-11-25

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN110520966B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880025453.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。