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公开(公告)号：CN109097774B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201810631619.0
申请日：2018-06-19
Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。
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公开(公告)号：CN108251842B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201711082676.X
申请日：2017-11-07
IPC: C23F1/44
Abstract: 根据本发明的一个实施例提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的金属布线的制造方法，蚀刻液组合物包含：8重量％至20重量％的过硫酸盐系化合物；从0.1重量％至5重量％的1‑氮系环型化合物、0.05重量％至1重量％的3‑氮系环型化合物及这些化合物的混合物中选择的1种以上的氮系环型化合物；0.1重量％至1重量％的氟系化合物；0.1重量％至1重量％的铜腐蚀防止化合物；以及余量的水。
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公开(公告)号：CN103526206A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310136179.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
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公开(公告)号：CN108251842A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711082676.X
申请日：2017-11-07
IPC: C23F1/44
CPC classification number: C23F1/44
Abstract: 根据本发明的一个实施例提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的金属布线的制造方法，蚀刻液组合物包含：8重量％至20重量％的过硫酸盐系化合物；从0.1重量％至5重量％的1‑氮系环型化合物、0.05重量％至1重量％的3‑氮系环型化合物及这些化合物的混合物中选择的1种以上的氮系环型化合物；0.1重量％至1重量％的氟系化合物；0.1重量％至1重量％的铜腐蚀防止化合物；以及余量的水。
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公开(公告)号：CN106873319A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610685935.7
申请日：2016-08-18
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101424888B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN108018558B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201711043223.6
申请日：2017-10-31
Abstract: 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。
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公开(公告)号：CN104451681B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号：CN109097774A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810631619.0
申请日：2018-06-19
Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。
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