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公开(公告)号：CN111270236B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201911217843.6
申请日：2019-12-03
Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
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公开(公告)号：CN106873319A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610685935.7
申请日：2016-08-18
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。
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公开(公告)号：CN104597728B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201410592323.4
申请日：2014-10-29
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法，该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准，所述剥离液可以包含1～90重量部的所述非质子性极性溶剂、1～10重量部的所述胺类化合物以及1～30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶，且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。
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公开(公告)号：CN103571495B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310319674.3
申请日：2013-07-26
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号：CN104597728A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410592323.4
申请日：2014-10-29
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法，该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准，所述剥离液可以包含1～90重量部的所述非质子性极性溶剂、1～10重量部的所述胺类化合物以及1～30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶，且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104451681A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号：CN113805441A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110664970.1
申请日：2021-06-16
IPC: G03F7/42
Abstract: 公开了一种剥离组合物。一实施例的剥离组合物以剥离组合物的总重量为基准而包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以剥离组合物的总重量为基准，极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括N,N‑二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。剥离组合物可以在形成于电极上的光致抗蚀剂图案的去除工序中使用，并且可以显示出防止电极腐蚀的特性。
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公开(公告)号：CN111270236A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911217843.6
申请日：2019-12-03
Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
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公开(公告)号：CN104451681B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号：CN108203827A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711373532.X
申请日：2017-12-19
IPC: C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: C23F1/18 , H01L21/28008 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L29/4232
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
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