-
公开(公告)号：CN102738133A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110275122.8
申请日：2011-09-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体器件包括：控制元件，其通过第一粘合层而被设置在基板的主表面上方；第二粘合层，其被设置为覆盖所述控制元件；第一半导体芯片，其被设置在所述第二粘合层上，所述第一半导体芯片的底表面积大于所述控制元件的顶表面积，并且所述控制元件的外边缘的至少一侧伸出到所述第一半导体芯片的外边缘的外部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103199028A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210308848.1
申请日：2012-08-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，通过毛细管以及能够切换成闭合状态和打开状态的线夹，用线连接在基板上形成的基板侧电极焊盘和在芯片上形成的芯片侧电极焊盘。通过化学镀在基板侧电极焊盘的最表层形成镀金。使毛细管移动至越过线对基板侧电极焊盘接合的一次接合的位置的正上方的位置为止，接着对基板侧电极焊盘进行线的一次接合。
-
公开(公告)号：CN103000600A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210071044.4
申请日：2012-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L23/29 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/145 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。
-
公开(公告)号：CN105990329A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510096632.7
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L25/105 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/06135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/92147 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法，可实现在衬底上设置有多个半导体芯片的半导体装置的薄型化。根据一实施方式，半导体装置包括衬底，该衬底具有第一面、及与所述第一面为相反侧的第二面。进而，所述装置包括：第一半导体芯片，设置在所述衬底的所述第一面；及第二半导体芯片，设置在所述衬底的所述第二面，且覆盖贯通所述衬底的开口的至少一部分。进而，所述装置包括第三半导体芯片，该第三半导体芯片在所述开口内，经由接着剂而设置在所述第二半导体芯片的所述衬底侧的面。
-
公开(公告)号：CN100550180C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610154193.1
申请日：2006-09-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在电路基板的第1主面形成有USB端子，其具有成为USB连接器的输入输出端子的导体层。在电路基板的与端子形成面相反侧的第2主面上安装有存储器元件，该存储器元件被利用密封树脂密封着。在电路基板的除USB端子的形成区域之外的区域安装有电子部件。由此，构成作为USB存储器主体的半导体存储装置。通过把USB存储器主体收纳在USB连接器壳体内，构成USB存储器。
-
公开(公告)号：CN1933011A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610154193.1
申请日：2006-09-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在电路基板的第1主面形成有USB端子，其具有成为USB连接器的输入输出端子的导体层。在电路基板的与端子形成面相反侧的第2主面上安装有存储器元件，该存储器元件被利用密封树脂密封着。在电路基板的除USB端子的形成区域之外的区域安装有电子部件。由此，构成作为USB存储器主体的半导体存储装置。通过把USB存储器主体收纳在USB连接器壳体内，构成USB存储器。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.015 seconds)
