发光器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1225803C

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN03149139.1

    申请日:2003-06-19

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/025 H01L33/22 H01L2933/0083

    Abstract: 一种半导体发光器件,提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。N型GaN层和P型GaN层叠置以在其间限定界面,通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长GaN层的光波导,用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的折射层,第一介质和第二介质具有互不相同的各自的折射率,并穿过辐射表面交替设置。这样,可最佳利用光波导以提供大辐射表面,并形成有折射层,减少了光波导内部的多次反射,用于使通过光波导传输的光有效地通过或辐射。

    发光器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1472826A

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN03149139.1

    申请日:2003-06-19

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/025 H01L33/22 H01L2933/0083

    Abstract: 一种半导体发光器件,提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。N型GaN层和P型GaN层叠置以在其间限定界面,通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长GaN层的光波导,用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的折射层,第一介质和第二介质具有互不相同的各自的折射率,并穿过辐射表面交替设置。这样,可最佳利用光波导以提供大辐射表面,并形成有折射层,减少了光导内部的多次反射,用于使通过光导传输的光有效地通过或辐射。

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