公开(公告)号：CN1462068A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03138118.9

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘 ,  国清辰也 ,  永久克己

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/312

Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。

公开(公告)号：CN1126150C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN97190998.9

申请日：1997-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松克立 ,  小田中绅二 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/74 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105

Abstract: 一种生产半导体器件的方法，包括步骤：通过离子注入，形成用于控制阈值电压的杂质扩散层；以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地，高温快速热处理的处理条件以这种方式设定，即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散，而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。

公开(公告)号：CN101038934A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710101226.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 一种具有MISFET的半导体器件，MISFET具备：有源区，其由半导体衬底构成；栅绝缘膜，其形成在上述有源区之上；栅电极，其形成在上述栅绝缘膜之上；源·漏区，其形成在位于上述半导体衬底中上述栅电极的两侧方的区域中；以及内部应力膜，其形成在上述源·漏区之上，在位于上述有源区中上述栅电极下方的沟道区中的栅长方向上产生应力，上述内部应力膜，未形成在上述栅电极的上面上。可提高电子或空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN1494166A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03160246.0

申请日：2003-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今出昌宏 ,  门胁匡志 ,  海本博之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y10S257/90

Abstract: 本发明提供一种起因于侧壁的应力小的半导体装置及其制造方法。基板(11)由作为元件形成区域的半导体层(12)和作为元件分离区域的STI(13)构成。在半导体(12)的上面设置栅极绝缘膜(15)，从栅极绝缘膜(15)的上面经过STI(13)设置栅电极。然后，在从半导体层(12)的上面接近STI(13)之中半导体层(12)的外缘的区域的上面设置侧壁，使之覆盖栅电极(14)的侧面。使用该侧壁(30)作为用于形成源·漏区域发挥作用的高浓度杂质扩散层(16)的离子注入掩模。

公开(公告)号：CN1591866A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057831.9

申请日：2004-08-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 门胁匡志 ,  海本博之 ,  半田崇登

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供具备即使在缩短了栅长的情况下也能确保大的电容可变范围的可变电抗器的可变电抗器·CMOS器件混合装载的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有可变电抗器区(Va)和晶体管区(Tr)。在可变电抗器用的有效区中，在N阱区(12)中形成了掺了较高浓度的N型杂质而构成的衬底接触用扩散区(13a)，而没有形成以往的半导体器件的可变电抗器那样的延伸区(或LDD区)。另一方面，在晶体管区(Tr)中的P阱区(11)中的位于多晶硅栅电极(18)的两侧方的区域中形成了高浓度源·漏区(14a)和延伸区(14b)。确保了较宽的耗尽层的扩大范围，扩大了可变电抗器的电容可变范围。

公开(公告)号：CN1574291A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046433.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中冈弘明 ,  中西贤太郎 ,  海本博之 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。

公开(公告)号：CN1497679A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100708.6

申请日：2003-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 半田崇登 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种可以更精细化的半导体装置的制造方法。具有在硅基板(1)之中露出p型区域(2)的开口部并形成由BPSG膜等构成的硬掩膜(21a)。然后，通过进行采用乙醇气体的各向同性喷溅蚀刻将硬掩膜(21a)的角部变圆，形成具有锥体形状的注入硬掩膜(21)。通过将注入硬掩膜(21)作为掩膜进行N型杂质的倾斜离子注入，形成LDD结构的n-层(13)。然后，除去注入硬掩膜(21)。由此，采用比以往的膜厚更薄的注入掩膜进行倾斜离子注入。

公开(公告)号：CN1494127A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03160250.9

申请日：2003-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今出昌宏 ,  海本博之

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种可以降低由于结晶缺陷而引起的漏电流的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在半导体基板(11)的元件形成区域(Re)上设置的MISFET和包围元件形成区域(Re)侧面的沟槽元件分离部(13)，从沟槽元件分离部(13)的上方一直延伸到元件形成区域(Re)中沟槽元件分离部(13)相邻部分的上面，设置氧气通过抑制膜(23)。氧气通过抑制膜(23)由氧气难以穿过的氮化硅等构成。由此，半导体基板(11)的元件形成区域(Re)的上缘部就不容易被氧化，因而可以使该上缘部的体积膨胀得到抑制，降低应力。

公开(公告)号：CN1198250A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN97190998.9

申请日：1997-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松克立 ,  小田中绅二 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/74 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105

Abstract: 一种生产半导体器件的方法,包括步骤:通过离子注入,形成用于控制阈值电压的杂质扩散层;以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地,高温快速热处理的处理条件以这种方式设定,即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散,而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。

公开(公告)号：CN100499168C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710101226.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 一种具有MISFET的半导体器件，MISFET具备：有源区，其由半导体衬底构成；栅绝缘膜，其形成在上述有源区之上；栅电极，其形成在上述栅绝缘膜之上；源·漏区，其形成在位于上述半导体衬底中上述栅电极的两侧方的区域中；以及内部应力膜，其形成在上述源·漏区之上，在位于上述有源区中上述栅电极下方的沟道区中的栅长方向上产生应力，上述内部应力膜，未形成在上述栅电极的上面上。可提高电子或空穴的迁移率。