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公开(公告)号:CN107799487A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710675312.6
申请日:2017-08-09
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种电力转换装置,对于与各结构部相关的尺寸等的偏差吸收量充分,且振动吸收性能高,能够防止疲劳破坏。电力转换装置包括:制冷剂流路体,供冷却电子设备的制冷剂流通;以及扁平状的制冷剂管部,与功率模块交替地层叠配置,且供用于冷却功率模块的制冷剂流通,并且具有可接触至功率模块的主面以进行热交换的接触面部,且电力转换装置包括:入口管部,设于制冷剂管部的一端侧,使制冷剂朝向制冷剂管部流入;出口管部,设于制冷剂管部的另一端侧,使制冷剂从制冷剂管部流出;入口连接部,将入口管部连接于制冷剂流路体,且由管状的弹性构件所形成;以及出口连接部,将出口管部连接于制冷剂流路体,且由管状的弹性构件所形成。
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公开(公告)号:CN100533764C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200480040580.1
申请日:2004-11-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L23/051 , H01L23/3171 , H01L23/3735 , H01L23/585 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/8611 , H01L2224/40 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的半导体模块,由具有动作部(1)和护圈部(12)的半导体元件(13),和设置在该半导体元件的上面以及下面,并对该半导体元件进行冷却的上下的散热部件(15、14)构成。钝化膜(20),覆盖护圈部,但不覆盖动作部。上部散热部(15),由与所述钝化膜非接触地连接在动作部上的金属平板构成。上部散热部和下部散热部(14)可热传导地被连接。
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公开(公告)号:CN117013769A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310489381.3
申请日:2023-05-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制引导销生锈、腐蚀等的一体型单元。一体型单元(20)具备驱动装置(30)和控制驱动装置(30)的动力控制单元(40)。动力控制单元(40)具有朝向驱动装置(30)突出的引导销(42a),驱动装置(30)具有供引导销(42a)穿过的引导孔(314a)。动力控制单元(40)在引导销(42a)穿过引导孔(314a)的状态下固定于驱动装置(30)。驱动装置(30)具有在动力控制单元(40)固定于驱动装置(30)的状态下覆盖引导销(42a)的至少一部分的保护壁(38)。
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公开(公告)号:CN107799487B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201710675312.6
申请日:2017-08-09
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种电力转换装置,对于与各结构部相关的尺寸等的偏差吸收量充分,且振动吸收性能高,能够防止疲劳破坏。电力转换装置包括:制冷剂流路体,供冷却电子设备的制冷剂流通;以及扁平状的制冷剂管部,与功率模块交替地层叠配置,且供用于冷却功率模块的制冷剂流通,并且具有可接触至功率模块的主面以进行热交换的接触面部,且电力转换装置包括:入口管部,设于制冷剂管部的一端侧,使制冷剂朝向制冷剂管部流入;出口管部,设于制冷剂管部的另一端侧,使制冷剂从制冷剂管部流出;入口连接部,将入口管部连接于制冷剂流路体,且由管状的弹性构件所形成;以及出口连接部,将出口管部连接于制冷剂流路体,且由管状的弹性构件所形成。
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公开(公告)号:CN104348454A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410369698.4
申请日:2014-07-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H03K17/08
CPC classification number: G01R31/2608 , G01R19/0092 , H03K17/0828 , H03K17/164 , H03K17/168 , H03K2217/0027
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其对向感测侧单元的浪涌电流的各种异常现象的产生进行抑制,并抑制对半导体装置的负面影响。一种半导体装置,其特征在于,具备:主区域的多个单元、感测区域的多个单元以及对各单元进行驱动的晶体管,在晶体管中的主区域的栅极电阻值与感测区域的栅极电阻值分别为Rgm、Rgs,晶体管中的主区域的寄生电容与感测区域的寄生电容分别为Cgm、Cgs时,根据CR延迟比D=(Cgs/Cgm)*(Rgs/Rgm),则感测区域的栅极切断时间比主区域的栅极切断时间设定得更早。
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公开(公告)号:CN1906766A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200480040580.1
申请日:2004-11-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L23/051 , H01L23/3171 , H01L23/3735 , H01L23/585 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/8611 , H01L2224/40 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的半导体模块,由具有动作部(1)和护圈部(12)的半导体元件(13),和设置在该半导体元件的上面以及下面,并对该半导体元件进行冷却的上下的散热部件(15、14)构成。钝化膜(20),覆盖护圈部,但不覆盖动作部。上部散热部(15),由与所述钝化膜非接触地连接在动作部上的金属平板构成。上部散热部和下部散热部(14)可热传导地被连接。
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公开(公告)号:CN102456728A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110310003.1
申请日:2011-10-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/4847 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其能够使半导体装置内的电流分布均匀化而无需使开关单元的尺寸可变。该半导体装置(1)具有多个绝缘栅型的开关单元即IGBT单元(10),对各IGBT单元(10)的栅极(20)施加栅极-发射极电压(Vge),使与该栅极-发射极电压(Vge)相应的集电极-发射极电流(Ice)流向以覆盖各IGBT单元(10)的方式设置的共同的发射极(22),并且将接合引线(32)接合于该发射极(22),与因从所述接合引线(32)的接合位置即接合部(34)离开的距离不同而形成差异的各IGBT单元(10)的所述栅极-发射极电压(Vge)相应地,改变各IGBT单元(10)的与互感相关的系数(Kp),使得所述IGBT单元(10)各自的集电极-发射极电流(Ice)大致相等。
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