公开(公告)号：CN102377419B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110230116.0

申请日：2011-08-09

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 五月女耕二 ,  塚田能成 ,  后藤胜敏 ,  竹内祐介

IPC: H03K17/567

CPC classification number: H03K17/166 ,  H02M1/44 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/0424 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的驱动装置及方法，半导体元件的驱动装置的断开时反馈部(23OFF)在第一半导体元件(11U)从导通切换到断开时，根据第一半导体元件(11U)的集电极电流的时间变化，将反馈电压作为使母线导通或阻断的驱动信号的电压的一部分而生成。导通时反馈部(23ON)在第一半导体元件(11U)从断开切换到导通时，根据第二半导体元件(11D)侧的续流二极管(12D)中所流过的续流电流而生成反馈电压。

公开(公告)号：CN102456728A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110310003.1

申请日：2011-10-13

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 谷高真一 ,  后藤胜敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够使半导体装置内的电流分布均匀化而无需使开关单元的尺寸可变。该半导体装置(1)具有多个绝缘栅型的开关单元即IGBT单元(10)，对各IGBT单元(10)的栅极(20)施加栅极-发射极电压(Vge)，使与该栅极-发射极电压(Vge)相应的集电极-发射极电流(Ice)流向以覆盖各IGBT单元(10)的方式设置的共同的发射极(22)，并且将接合引线(32)接合于该发射极(22)，与因从所述接合引线(32)的接合位置即接合部(34)离开的距离不同而形成差异的各IGBT单元(10)的所述栅极-发射极电压(Vge)相应地，改变各IGBT单元(10)的与互感相关的系数(Kp)，使得所述IGBT单元(10)各自的集电极-发射极电流(Ice)大致相等。

公开(公告)号：CN102377419A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110230116.0

申请日：2011-08-09

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 五月女耕二 ,  塚田能成 ,  后藤胜敏 ,  竹内祐介

IPC: H03K17/567

CPC classification number: H03K17/166 ,  H02M1/44 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/0424 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的驱动装置及方法，半导体元件的驱动装置的断开时反馈部(23OFF)在第一半导体元件(11U)从导通切换到断开时，根据第一半导体元件(11U)的集电极电流的时间变化，将反馈电压作为使母线导通或阻断的驱动信号的电压的一部分而生成。导通时反馈部(23ON)在第一半导体元件(11U)从断开切换到导通时，根据第二半导体元件(11D)侧的续流二极管(12D)中所流过的续流电流而生成反馈电压。