公开(公告)号：CN119789911A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062957.6

申请日：2023-08-29

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 伊藤仁 ,  青梅亚美 ,  内村允宣 ,  西原洋知 ,  吉井丈晴 ,  若林佳吾 ,  岩渕好治 ,  笹野裕介 ,  平泽典保 ,  濑川良佑 ,  金野智浩

IPC: B01J31/28 ,  C07B61/00 ,  C07C45/39 ,  C07C49/08 ,  C07D207/46 ,  C07D211/94 ,  C07D451/00 ,  C07D451/14

Abstract: [问题]提供一种将硝酰自由基用作催化剂而在气相中可以氧化有机化合物的手段。[解决手段]将具有下述氧化还原机制的化合物与包含过渡金属的助催化剂一起担载至载体而作为催化剂担载体：式中，X‑为抗衡阴离子，虚线表示与其他原子的键合位置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119789786A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062958.0

申请日：2023-08-29

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 伊藤仁 ,  青梅亚美 ,  内村允宣 ,  松本晃汰 ,  曾根和树 ,  平泽典保 ,  岩渕好治 ,  金野智浩 ,  笹野裕介 ,  濑川良佑

IPC: A01N43/42 ,  A01N43/36 ,  A01N43/40 ,  A01N43/84 ,  A01N43/90 ,  A01P1/00 ,  A01P3/00 ,  A61L9/00 ,  A61L9/01 ,  D06M13/388

Abstract: [问题]提供一种廉价的手段，其将对环境的负担抑制为最小限度，同时不以光的存在为前提而可以对微生物发挥灭活效果。[解决手段]通过使具有下述氧化还原机制的化合物与存在被菌或病毒污染的风险的对象接触，从而使菌或病毒灭活：式中，X‑为抗衡阴离子，虚线表示与其他原子的键合位置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN101896420B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200880120193.7

申请日：2008-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  伊藤仁

IPC: C01B3/00 ,  C01B6/24

CPC classification number: C01B3/0026 ,  C01B3/0031 ,  C01B3/0036 ,  C01B3/0042 ,  C01B3/0078 ,  Y02E60/327 ,  Y02E60/328 ,  Y02E60/364

Abstract: 一种贮氢材料，其包括：贮存氢的第一贮存材料主体(1)；和贮存氢并涂布所述第一贮存材料主体(1)的表面的第二贮存材料主体(2)。在所述第一贮存材料主体(1)的氢产生温度下，所述第二贮存材料主体(2)的氢平衡压(HP)低于所述第一贮存材料主体(1)的氢平衡压。

公开(公告)号：CN101896420A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120193.7

申请日：2008-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 芜木智裕 ,  伊藤仁

IPC: C01B3/00 ,  C01B6/24

CPC classification number: C01B3/0026 ,  C01B3/0031 ,  C01B3/0036 ,  C01B3/0042 ,  C01B3/0078 ,  Y02E60/327 ,  Y02E60/328 ,  Y02E60/364

Abstract: 一种贮氢材料，其包括：贮存氢的第一贮存材料主体(1)；和贮存氢并涂布所述第一贮存材料主体(1)的表面的第二贮存材料主体(2)。在所述第一贮存材料主体(1)的氢产生温度下，所述第二贮存材料主体(2)的氢平衡压(HP)低于所述第一贮存材料主体(1)的氢平衡压。

公开(公告)号：CN102460653A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026564.2

申请日：2010-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  三好秀典 ,  保坂重敏 ,  佐藤浩 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/20 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。

公开(公告)号：CN101715602A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880018745.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN102306627A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110272097.8

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN101715602B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880018745.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN101897016A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200980101317.1

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  佐藤浩 ,  小池淳一 ,  根石浩司

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供如下的半导体装置的制造方法，即，在基板上的形成了凹部的层间绝缘膜的露出面形成屏蔽膜，在凹部内形成与下层侧的金属配线电连接的金属配线时，可以形成阶梯覆盖性良好的屏蔽膜，而且可以抑制配线电阻的上升。在将向形成于层间绝缘膜的凹部的底面露出的下层侧的铜配线的表面的氧化膜还原或蚀刻，除去该铜配线的表面的氧后，通过供给含有锰而不含有氧的有机金属化合物，而在凹部的侧壁及层间绝缘膜的表面等含有氧的部位选择性地生成作为自形成屏蔽膜的氧化锰，另一方面，在铜配线的表面不生成该氧化锰。其后，向该凹部中嵌入铜。