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公开(公告)号:CN113228261A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201880100282.9
申请日:2018-12-26
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 半导体装置具有:半导体芯片(1),其在内部形成有pn结(13);不透明的封装树脂(30),其将半导体芯片(1)的表面覆盖;以及功能区域(15)、(20),其配置于半导体芯片(1)与封装树脂(30)之间,用于抑制因顺向电流在pn结(13)中流动而产生的、具有使封装树脂(30)劣化的特定波长的光到达封装树脂(30)。
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公开(公告)号:CN113228261B
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN201880100282.9
申请日:2018-12-26
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 半导体装置具有:半导体芯片(1),其在内部形成有pn结(13);不透明的封装树脂(30),其将半导体芯片(1)的表面覆盖;以及功能区域(15)、(20),其配置于半导体芯片(1)与封装树脂(30)之间,用于抑制因顺向电流在pn结(13)中流动而产生的、具有使封装树脂(30)劣化的特定波长的光到达封装树脂(30)。
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公开(公告)号:CN104798185B
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201380059808.0
申请日:2013-11-13
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3),且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23),分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。
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公开(公告)号:CN104798185A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201380059808.0
申请日:2013-11-13
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3),且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23),分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小亚铃截面构造体(4)。
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