公开(公告)号：CN1624945A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100184.5

申请日：2004-12-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 末广一郎 ,  堀田佑治 ,  贞瀬直树 ,  釜田卓

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08G18/7607 ,  B29C43/146 ,  B29C43/18 ,  B29L2011/0016 ,  B29L2011/0083 ,  C08G18/025 ,  C08G18/71 ,  C08G73/00 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种制造光半导体器件的方法，其包括：(1)在导体上分别装配的一个或更多光半导体元件上形成树脂层；和(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。

公开(公告)号：CN100504468C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN03145876.9

申请日：2003-07-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 内藤龙介 ,  望月周 ,  宗和范 ,  贞瀬直树 ,  福冈孝博

IPC: G02B6/13 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/001 ,  G02B6/138 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种生产聚合物光波导管的方法，它包括：(a)在基片形成下覆盖层的步骤；(b)在下覆盖层上形成含有1，4-二氢吡啶衍生物及树脂的光敏树脂组合物层的步骤；(c)用紫外光通过掩模照射相应于芯图形的光敏树脂组合物层的区域而在该光敏树脂组合物层上形成紫外光曝光区域和紫外光未曝光区域的步骤；(d)加热光敏树脂组合物层的紫外光曝光区域和紫外光未曝光区域的步骤；(e)加热之后在光敏树脂组合物层上形成上覆盖层的步骤。

公开(公告)号：CN1480749A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03145876.9

申请日：2003-07-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 内藤龙介 ,  望月周 ,  宗和范 ,  贞瀬直树 ,  福冈孝博

IPC: G02B6/13 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/001 ,  G02B6/138 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种生产聚合物光波导管的方法，它包括：(a)在基片形成下覆盖层的步骤；(b)在下覆盖层上形成含有1，4－二氢吡啶衍生物及树脂的光敏树脂组合物层的步骤；(c)用紫外光通过掩模照射相应于芯图形的光敏树脂组合物层的区域而在该光敏树脂组合物层上形成紫外光曝光区域和紫外光未曝光区域的步骤；(d)加热光敏树脂组合物层的紫外光曝光区域和紫外光未曝光区域的步骤；(e)加热之后在光敏树脂组合物层上形成上覆盖层的步骤。

公开(公告)号：CN100401538C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410100184.5

申请日：2004-12-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 末广一郎 ,  堀田佑治 ,  贞瀬直树 ,  釜田卓

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08G18/7607 ,  B29C43/146 ,  B29C43/18 ,  B29L2011/0016 ,  B29L2011/0083 ,  C08G18/025 ,  C08G18/71 ,  C08G73/00 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种制造光半导体器件的方法，其包括：(1)在导体上分别装配的一个或更多光半导体元件上形成树脂层；和(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。

公开(公告)号：CN1624946A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100192.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 末广一郎 ,  堀田佑治 ,  贞瀬直树 ,  釜田卓

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件，其包含：光学半导体元件；封装所述光学半导体元件的第一树脂层，其包含第一树脂和光散射颗粒；以及依次封装所述第一树脂层的一层或多层树脂层，其中各层包含折光率低于所述第一树脂的树脂。在其中光学半导体器件在第一树脂层上具有多层树脂层的实施方案中，布置所述多层树脂层，以使构成树脂的折光率向最外树脂层依次降低。