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公开(公告)号:CN1667845A
公开(公告)日:2005-09-14
申请号:CN200510008290.5
申请日:2005-02-21
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C43/021 , B29C39/10 , B29C39/123 , B29C43/18 , B29C2043/025 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L24/97 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制备光学半导体装置的方法,该方法包括:(1)在一个或多个安装于导体上的光学半导体元件上形成树脂层;及(2)模压于步骤(1)中形成的树脂层,其中每个光学半导体元件具有从其安装侧面至发光侧面逐渐变细的纵向断面。
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公开(公告)号:CN1526751A
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN200410008039.4
申请日:2004-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/02
CPC classification number: C08G18/095 , C08G18/69 , C08G18/71 , C08G18/7607
Abstract: 一种聚碳化二亚胺共聚物,其包括选自下列的至少一种结构单元:“m”个由下述通式(1)和(2)表示的橡胶残基,n个由下述通式(3)表示的结构单元并且其中包括在两端的各端上的衍生于单异氰酸酯的末端结构单元,其中m是大于或等于2的整数,n是大于或等于1的整数,m+n在3-1500之间,m/(m+n)在1/1,500和1/3之间。该聚碳化二亚胺能保持固有的耐热性以及表现出优越的屈挠性。可制备具有高耐热性和屈挠性的膜和模塑材料。
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公开(公告)号:CN1521197A
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN200410003909.9
申请日:2004-02-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G18/02
CPC classification number: C08G18/71 , C08G18/025 , C08G18/7607
Abstract: 一种聚碳化二亚胺共聚物,其含有由下式(1)表示的、数量为“m”的重复结构单元R1——N==C==N(1)(其中R1表示萘基)和由下式(2)表示的、数量为“n”的重复结构单元R2——N==C==N(2)(其中R2表示不同于上述R1的有机二异氰酸酯残基),并在两端上还含有衍生自单异氰酸酯的端结构单元,其中m+n为3-200,n/(m+n)为0.05-0.99。具有比一般的相应物更高折射率的该聚碳化二亚胺,热稳定性优良并具有高的可加工性和可塑性。
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公开(公告)号:CN1521197B
公开(公告)日:2010-04-07
申请号:CN200410003909.9
申请日:2004-02-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G18/02
CPC classification number: C08G18/71 , C08G18/025 , C08G18/7607
Abstract: 一种聚碳化二亚胺共聚物,其含有由下式(1)表示的、数量为“m”的重复结构单元:(其中R1表示萘基)和由下式(2)表示的、数量为“n”的重复结构单元:(其中R2表示不同于上述R1的有机二异氰酸酯残基),并在两端上还含有衍生自单异氰酸酯的端结构单元,其中m+n为3-200,n/(m+n)为0.05-0.99。具有比一般的相应物更高折射率的该聚碳化二亚胺,热稳定性优良并具有高的可加工性和可塑性。
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公开(公告)号:CN1681109A
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN200510062892.9
申请日:2005-04-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C43/203 , B29C43/18 , B29L2011/0016 , H01L33/52
Abstract: 本发明提供一种用于光学半导体元件封装的片,其具有包含至少两层树脂层的多层结构,所述树脂层包括:(A)最外树脂层,其与一个或多个光学半导体元件接触;以及(B)树脂层,其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率。本发明也披露了使用该片制造光学半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN1624945A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410100184.5
申请日:2004-12-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G18/7607 , B29C43/146 , B29C43/18 , B29L2011/0016 , B29L2011/0083 , C08G18/025 , C08G18/71 , C08G73/00 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种制造光半导体器件的方法,其包括:(1)在导体上分别装配的一个或更多光半导体元件上形成树脂层;和(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。
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公开(公告)号:CN100418212C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200510062892.9
申请日:2005-04-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C43/203 , B29C43/18 , B29L2011/0016 , H01L33/52
Abstract: 本发明提供一种用于光学半导体元件封装的片,其具有包含至少两层树脂层的多层结构,所述树脂层包括:(A)最外树脂层,其与一个或多个光学半导体元件接触;以及(B)树脂层,其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率。本发明也披露了使用该片制造光学半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN100401538C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200410100184.5
申请日:2004-12-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G18/7607 , B29C43/146 , B29C43/18 , B29L2011/0016 , B29L2011/0083 , C08G18/025 , C08G18/71 , C08G73/00 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种制造光半导体器件的方法,其包括:(1)在导体上分别装配的一个或更多光半导体元件上形成树脂层;和(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。
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公开(公告)号:CN1288191C
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200410008039.4
申请日:2004-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/02
CPC classification number: C08G18/095 , C08G18/69 , C08G18/71 , C08G18/7607
Abstract: 一种聚碳化二亚胺共聚物,其包括选自下列的至少一种结构单元:“m”个由下述通式(1)和(2)表示的橡胶残基,n个由下述通式(3)表示的结构单元并且其中包括在两端的各端上的衍生于单异氰酸酯的末端结构单元,其中m是大于或等于2的整数,n是大于或等于1的整数,m+n在3-1500之间,m/(m+n)在1/1,500和1/3之间。该聚碳化二亚胺能保持固有的耐热性以及表现出优越的屈挠性。可制备具有高耐热性和屈挠性的膜和模塑材料。
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公开(公告)号:CN1797808A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410102150.X
申请日:2004-12-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: B29C43/021 , B29C43/203 , B29L2011/00 , B29L2011/0016 , C08G18/025 , C08G18/71 , C08G18/7607 , C09D175/00 , H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供了一种制造发光半导体器件的方法,所述方法包括:(1)在发光半导体元件光取出侧上形成含聚碳化二亚胺层;和(2)在含聚碳化二亚胺层表面上形成凹凸。
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