公开(公告)号：CN118843540A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026616.3

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  竹安智宏

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/00 ,  B32B15/20 ,  H01B5/14 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明的带导电层的膜(X)在厚度方向(H)上依次具备：作为环烯烃树脂膜基材的膜基材(10)、金属氧化物层(13)以及金属导电层(14)。金属氧化物层(13)和金属导电层(14)包含相同的金属元素。金属氧化物层(13)具有15nm以下的厚度。

公开(公告)号：CN106133662A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016276.1

申请日：2015-03-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  川本育郎 ,  森田等 ,  有马明

IPC: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供生产率优异、能不发生金属布线的断线而实现高可靠性、并且不易视觉辨识到金属布线层的使用感良好的透光性导电薄膜。本发明的透光性导电薄膜至少依次具备：薄膜基材(11)、形成有网眼状图案的金属布线层(12)和着色层(13)。薄膜基材(11)在形成金属布线层(12)侧的表面(11a)具有多个突起(31)。金属布线层(12)的线宽大于5μm且为8μm以下，金属布线层的厚度为0.1μm以上且小于0.5μm。此外，着色层(13)层叠于金属布线层(12)的视觉辨识侧(A)的主面(12a)、且不形成于金属布线层(12)的侧面(12b)。

公开(公告)号：CN105653083A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510830924.9

申请日：2015-11-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 有马明 ,  河邨良广 ,  大西秀典 ,  小泽博纪 ,  竹安智宏 ,  森田等 ,  川本育郎

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供一种透明导电性基材，该透明导电性基材包括透明基材和配线部，配线部具有：导体图案，其设置在透明基材之上；以及黑化层，其设置在导体图案之上。黑化层是含有镍锌合金的单层，黑化层的厚度为30nm～70nm，黑化层中的镍相对于锌的质量比为3.0～105。

公开(公告)号：CN119585672A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202480003469.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  田边凌祐 ,  竹安智宏

IPC: G02F1/155 ,  B32B3/30 ,  B32B7/023 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1343

Abstract: 本发明的调光膜(X)在厚度方向(H)按顺序具备基材膜(10)、电极层(20)、调光层(30)以及电极层(40)。电极层(20)是含铟的导电性氧化物层。电极层(20)具有2.5×10－4Ω·cm以下的电阻率。电极层(20)是面方向上的平均晶粒尺寸为300nm以下的结晶质层，且具有在厚度方向(H)包含多个晶粒的区域。

公开(公告)号：CN119310664A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410926945.X

申请日：2024-07-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  伊藤帆奈美 ,  竹安智宏

IPC: G02B5/08 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明涉及反射膜。本发明的反射膜(X)具备：基材膜(10)、基材膜(10)上的金属反射层(20)、金属反射层(20)上的无机黑化层(30)以及无机黑化层(30)上的金属氧化物层(40)。无机黑化层(30)为包含金属化合物和单质金属的无机黑化层。

公开(公告)号：CN118737525A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410362670.1

申请日：2024-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田边凌祐 ,  竹安智宏 ,  藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)具有100nm以上的厚度。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有非晶质层(21)和结晶质层(22)。非晶质层(21)厚于结晶质层(22)。

公开(公告)号：CN112447313A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010905488.8

申请日：2020-09-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  延泽秀树

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供导体层与透明导电层的密合性优异的透明导电性薄膜、该透明导电性薄膜的制造方法、及该透明导电性薄膜的制造方法中使用的中间体。透明导电性薄膜(1)朝向厚度方向一侧依次具备透明基材(2)和导电层(3)。导电层(3)具备视觉辨识区域(10)及配置于视觉辨识区域(10)的外周边缘部的边框区域(11)。视觉辨识区域(10)具备透明导电层(4)。边框区域(11)具备：导体层(5)、透明导电层(4)、及配置于它们之间且用于实现导体层(5)与透明导电层(4)的密合的导电密合层(6)。透明导电层(4)包含金属纳米线。

公开(公告)号：CN103839607A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310597960.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  山本祐辅 ,  金谷实 ,  佐佐和明

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  H01B1/08 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。

公开(公告)号：CN111383794B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201911374409.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  酒井和也 ,  西岛仁志

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。

公开(公告)号：CN117227286A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310690811.8

申请日：2023-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  竹安智宏

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  B32B7/025 ,  B32B27/08 ,  B32B15/20 ,  B32B15/085 ,  B32B15/082 ,  B32B33/00 ,  H01Q1/38 ,  C08J7/044 ,  C08J7/046 ,  C09D175/14 ,  C09D7/61 ,  C08L27/12

Abstract: 提供：适于减少导电层中的传输损耗、并且抑制薄膜间的贴附的、带导电层的薄膜及薄膜天线用层叠薄膜。本发明的带导电层的薄膜(X)在厚度方向(H)上依次具备抗静电层(11)、薄膜基材(10)(氟树脂薄膜基材)、和导电层(12)。抗静电层(11)具有比薄膜基材(10)大的相对介电常数。抗静电层(11)与导电层(12)之间的动摩擦系数为1.5以下。