公开(公告)号：CN119310664A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410926945.X

申请日：2024-07-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  伊藤帆奈美 ,  竹安智宏

IPC: G02B5/08 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明涉及反射膜。本发明的反射膜(X)具备：基材膜(10)、基材膜(10)上的金属反射层(20)、金属反射层(20)上的无机黑化层(30)以及无机黑化层(30)上的金属氧化物层(40)。无机黑化层(30)为包含金属化合物和单质金属的无机黑化层。

公开(公告)号：CN115335924B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202180022337.0

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向。透明导电层(20)的第二方向的第二压缩残留应力相对于第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。

公开(公告)号：CN113393972A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110268823.2

申请日：2021-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  碓井圭太

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 提供透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(2)的制造方法中，一边沿长度方向输送长条透明薄膜(10)，一边在长条透明薄膜(10)的一个面上形成透明导电层(22)。透明导电层(22)通过一边沿成膜辊(15)的周面输送长条透明薄膜(10)一边溅射来形成。透明导电层(22)的厚度超过35nm。透明导电层(22)在形成时与长条透明薄膜(10)的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm2以上。

公开(公告)号：CN108352218B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN119310663A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410926944.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  伊藤帆奈美 ,  竹安智宏

IPC: G02B5/08 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明涉及反射膜。本发明的反射膜(X)在厚度方向(H)上依次具备：基材膜(10)、金属反射层(20)、金属化合物层(30)以及固化树脂层(40)。

公开(公告)号：CN117944346A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311399558.7

申请日：2023-10-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  梶原大辅 ,  竹下翔也

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G02B5/00 ,  G09F9/30 ,  C09J133/08 ,  C09D133/08 ,  B29C65/48 ,  G06F3/041 ,  B29L7/00 ,  B29L9/00

Abstract: 本发明涉及层叠体、透明导电性薄膜及透明导电性薄膜的制造方法。层叠体(1)朝向厚度方向一侧依次具备：保护薄膜(2)、粘合层(3)和基材(4)。透明基材(6)的厚度为50μm以下。粘合层(3)及基材(4)的界面处的气泡的个数为50个/mm2以下。

公开(公告)号：CN114765083A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210040717.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  梶原大辅

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及导电性薄膜转印材料及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料。导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备：临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。固化树脂层(3)的厚度为1.0μm以上且3.0μm以下。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)的厚度方向一个面的表面自由能超过20mN/m且不足40mN/m。

公开(公告)号：CN108352218A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN117227286A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310690811.8

申请日：2023-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  竹安智宏

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  B32B7/025 ,  B32B27/08 ,  B32B15/20 ,  B32B15/085 ,  B32B15/082 ,  B32B33/00 ,  H01Q1/38 ,  C08J7/044 ,  C08J7/046 ,  C09D175/14 ,  C09D7/61 ,  C08L27/12

Abstract: 提供：适于减少导电层中的传输损耗、并且抑制薄膜间的贴附的、带导电层的薄膜及薄膜天线用层叠薄膜。本发明的带导电层的薄膜(X)在厚度方向(H)上依次具备抗静电层(11)、薄膜基材(10)(氟树脂薄膜基材)、和导电层(12)。抗静电层(11)具有比薄膜基材(10)大的相对介电常数。抗静电层(11)与导电层(12)之间的动摩擦系数为1.5以下。

公开(公告)号：CN116367996A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180074003.8

申请日：2021-09-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梶原大辅 ,  碓井圭太

IPC: B32B9/00

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿厚度方向(T)依次具备保护薄膜(F)、透明基材(10)和非晶的透明导电层(20)。透明基材(10)具有10μm以上且40μm以下的厚度。透明导电层(20)的厚度相对于透明基材(10)的厚度的比率为1.1×10‑3以上。