公开(公告)号：CN117944346A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311399558.7

申请日：2023-10-26

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 碓井圭太 ,  梶原大辅 ,  竹下翔也

IPC分类号： B32B27/32 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G02B5/00 ,  G09F9/30 ,  C09J133/08 ,  C09D133/08 ,  B29C65/48 ,  G06F3/041 ,  B29L7/00 ,  B29L9/00

摘要： 本发明涉及层叠体、透明导电性薄膜及透明导电性薄膜的制造方法。层叠体(1)朝向厚度方向一侧依次具备：保护薄膜(2)、粘合层(3)和基材(4)。透明基材(6)的厚度为50μm以下。粘合层(3)及基材(4)的界面处的气泡的个数为50个/mm2以下。

公开(公告)号：CN114765083A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210040717.3

申请日：2022-01-14

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 碓井圭太 ,  梶原大辅

IPC分类号： H01B5/14

摘要： 本发明涉及导电性薄膜转印材料及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料。导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备：临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。固化树脂层(3)的厚度为1.0μm以上且3.0μm以下。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)的厚度方向一个面的表面自由能超过20mN/m且不足40mN/m。

公开(公告)号：CN108352218A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

CPC分类号： B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

摘要： 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN115335924B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202180022337.0

申请日：2021-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 碓井圭太

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

摘要： 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向。透明导电层(20)的第二方向的第二压缩残留应力相对于第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。

公开(公告)号：CN113393972A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110268823.2

申请日：2021-03-12

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 梶原大辅 ,  碓井圭太

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B5/14

摘要： 提供透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(2)的制造方法中，一边沿长度方向输送长条透明薄膜(10)，一边在长条透明薄膜(10)的一个面上形成透明导电层(22)。透明导电层(22)通过一边沿成膜辊(15)的周面输送长条透明薄膜(10)一边溅射来形成。透明导电层(22)的厚度超过35nm。透明导电层(22)在形成时与长条透明薄膜(10)的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm2以上。

公开(公告)号：CN108352218B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

摘要： 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN118843540A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026616.3

申请日：2023-03-23

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 碓井圭太 ,  竹安智宏

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B9/00 ,  B32B15/20 ,  H01B5/14 ,  H01Q1/38

摘要： 本发明的带导电层的膜(X)在厚度方向(H)上依次具备：作为环烯烃树脂膜基材的膜基材(10)、金属氧化物层(13)以及金属导电层(14)。金属氧化物层(13)和金属导电层(14)包含相同的金属元素。金属氧化物层(13)具有15nm以下的厚度。

公开(公告)号：CN115298765B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180022925.4

申请日：2021-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 梶原大辅 ,  藤野望 ,  碓井圭太

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

摘要： 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有2 19霍尔迁移率μ(cm/V·s)和载流子密度n×10(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8

公开(公告)号：CN115335924A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180022337.0

申请日：2021-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 碓井圭太

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/08 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B7/028 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

摘要： 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向。透明导电层(20)的第二方向的第二压缩残留应力相对于第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。

公开(公告)号：CN115298765A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022925.4

申请日：2021-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 梶原大辅 ,  藤野望 ,  碓井圭太

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

摘要： 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有霍尔迁移率μ(cm2/V·s)和载流子密度n×1019(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。