-
公开(公告)号：CN115298765B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202180022925.4
申请日：2021-03-18
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01B5/14 , B32B9/00 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
摘要： 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有2 19霍尔迁移率μ(cm/V·s)和载流子密度n×10(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8
-
-
公开(公告)号：CN103999166B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201380004245.5
申请日：2013-05-31
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H05K1/0213 , C23C14/086 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K2201/0145 , H05K2201/0158 , H05K2201/0326 , H05K2201/0776 , H05K2203/1194 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938
摘要： 本发明提供一种透射率高且电阻率小的透明导电性膜。本实施方式的透明导电性膜(1)具有膜基材(2)和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层(3)。该多晶层(3)的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度大于6×1020个/cm3且在9×1020个/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN103035325B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210374585.4
申请日：2012-09-27
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN103999166A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380004245.5
申请日：2013-05-31
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H05K1/0213 , C23C14/086 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/032 , H05K1/0326 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K2201/0145 , H05K2201/0158 , H05K2201/0326 , H05K2201/0776 , H05K2203/1194 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938
摘要： 本发明提供一种透射率高且电阻率小的透明导电性膜。本实施方式的透明导电性膜(1)具有膜基材(2)和形成于该膜基材上的铟锡氧化物多晶层(3)。该多晶层(3)的厚度为10nm～30nm，晶体粒径的平均值为180nm～270nm，并且载流子密度大于6×1020个/cm3且在9×1020个/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN103035325A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210374585.4
申请日：2012-09-27
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN117944346A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311399558.7
申请日：2023-10-26
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： B32B27/32 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B7/12 , G02B5/00 , G09F9/30 , C09J133/08 , C09D133/08 , B29C65/48 , G06F3/041 , B29L7/00 , B29L9/00
摘要： 本发明涉及层叠体、透明导电性薄膜及透明导电性薄膜的制造方法。层叠体(1)朝向厚度方向一侧依次具备：保护薄膜(2)、粘合层(3)和基材(4)。透明基材(6)的厚度为50μm以下。粘合层(3)及基材(4)的界面处的气泡的个数为50个/mm2以下。
-
公开(公告)号：CN110614833B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201910527687.7
申请日：2019-06-18
申请人： 日东电工株式会社
摘要： [课题]提供即使经由真空工艺也能抑制薄膜污染的树脂薄膜和使用其而得到的导电性薄膜、以及层叠薄膜的制造方法。[解决手段]一种树脂薄膜，其包含在大气压下的沸点或热分解点为285℃以下的抗氧化剂。前述抗氧化剂在1.3Pa的真空下的沸点或热分解点优选为50℃以下。
-
-
公开(公告)号：CN110415864A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910329447.6
申请日：2019-04-23
申请人： 日东电工株式会社
发明人： 梶原大辅
IPC分类号： H01B5/14
摘要： [课题]提供能够抑制卷取成卷状时的卷偏移的产生的带有保护薄膜的导电性薄膜。[解决方案]一种带有保护薄膜的导电性薄膜，其具备：树脂薄膜、作为前述树脂薄膜的一面侧的最外层而配置的导电层、和作为前述树脂薄膜的另一面侧的最外层而配置的保护薄膜，前述导电层的最表面的表面粗糙度Ra为1nm以上且10nm以下，前述保护薄膜的最表面的表面粗糙度Ra为100nm以上且300nm以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
33 条记录 (耗时 0.027 秒)
