发明授权
- 专利标题： 透明导电性薄膜
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申请号： CN202180022925.4申请日： 2021-03-18
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公开(公告)号： CN115298765B公开(公告)日： 2023-12-05
- 发明人: 梶原大辅 , 藤野望 , 碓井圭太
- 申请人： 日东电工株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 日东电工株式会社
- 当前专利权人： 日东电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2020-049864 2020.03.19 JP
- 国际申请： PCT/JP2021/011154 2021.03.18
- 国际公布： WO2021/187579 JA 2021.09.23
- 进入国家日期： 2022-09-19
- 主分类号： H01B5/14
- IPC分类号： H01B5/14 ; B32B9/00 ; H01L31/0224 ; H01B5/16 ; H01B13/00 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01Q1/38 ; H01Q1/52 ; H05K9/00 ; B32B7/00 ; B32B7/023 ; B32B7/025 ; G02F1/1333 ; G02F1/1343 ; G06F3/041
摘要：
本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有2 19霍尔迁移率μ(cm/V·s)和载流子密度n×10(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8
公开/授权文献
- CN115298765A 透明导电性薄膜 公开/授权日：2022-11-04
