公开(公告)号：CN108352218A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10-4Ω·cm以上且8.0×10-4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN108352218B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680065829.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  成田悠 ,  西嶋仁志 ,  碓井圭太 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

Abstract: 非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10‑4Ω·cm以上且8.0×10‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm2/V·s以上且30.0cm2/V·s以下。