公开(公告)号：CN110636943B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201880032554.6

申请日：2018-04-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梅本徹 ,  西岛仁志 ,  桥本尚树 ,  鹰尾宽行

IPC: B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14

Abstract: 透明导电性薄膜依次具备第1透明导电层、第1光学调整层、透明基材、第2光学调整层及第2透明导电层。第2透明导电层的表面电阻值比第1透明导电层的表面电阻值大，第1透明导电层的表面电阻值为10Ω/□以上且70Ω/□以下，第2透明导电层的表面电阻值为50Ω/□以上且150Ω/□以下，第2光学调整层的折射率比第1光学调整层的折射率低。

公开(公告)号：CN111554431A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010085809.4

申请日：2020-02-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西岛仁志 ,  成田悠 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种长期保存稳定性良好的导电性薄膜和触摸面板。导电性薄膜(1)在上下方向上依次具备透明基材(3)、透明导电层(5)、铜层(6)和氧化覆膜层(7)，氧化覆膜层(7)的上表面的水接触角为70°以上。

公开(公告)号：CN118510938A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380016125.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西岛仁志 ,  小笹顺平 ,  延泽秀树

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34

Abstract: 溅射装置(1)一边将基材(21)以卷对卷方式输送，一边通过溅射在厚度方向上的基材(21)的一个面使导电膜(22)成膜。溅射装置(1)具备：成膜辊(6)、卷取辊(5)以及下游侧引导辊部(8)。下游侧引导辊部(8)配置于输送方向上的成膜辊(6)与卷取辊(5)之间。下游侧引导辊部(8)将导电性片(20)导向卷取辊(5)。下游侧引导辊部(8)包括导电性的第一引导辊(81)和第一电阻部(811)。第一引导辊(81)能最先与导电膜(22)接触。第一引导辊(81)与接地部(9)连接。第一电阻部(811)配置于第一引导辊(81)与接地部(9)之间。

公开(公告)号：CN111210944B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201911147533.1

申请日：2019-11-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  鹰尾宽行 ,  西岛仁志

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供导电性薄膜的制造方法，提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序：准备层叠体(2)的准备工序，所述层叠体(2)具备：依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4)；及去除工序，对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

公开(公告)号：CN111210944A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911147533.1

申请日：2019-11-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  鹰尾宽行 ,  西岛仁志

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供导电性薄膜的制造方法，提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序：准备层叠体(2)的准备工序，所述层叠体(2)具备：依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4)；及去除工序，对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

公开(公告)号：CN111383794B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201911374409.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  酒井和也 ,  西岛仁志

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。

公开(公告)号：CN111383794A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911374409.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹安智宏 ,  酒井和也 ,  西岛仁志

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。

公开(公告)号：CN110636943A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032554.6

申请日：2018-04-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梅本徹 ,  西岛仁志 ,  桥本尚树 ,  鹰尾宽行

IPC: B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14

Abstract: 透明导电性薄膜依次具备第1透明导电层、第1光学调整层、透明基材、第2光学调整层及第2透明导电层。第2透明导电层的表面电阻值比第1透明导电层的表面电阻值大，第1透明导电层的表面电阻值为10Ω/□以上且70Ω/□以下，第2透明导电层的表面电阻值为50Ω/□以上且150Ω/□以下，第2光学调整层的折射率比第1光学调整层的折射率低。

公开(公告)号：CN109215847A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810722307.0

申请日：2018-06-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梅本彻 ,  西岛仁志 ,  碓井圭太 ,  成田悠

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供实现透明导电层的低电阻特性及结晶化速度的改善的兼顾的透明导电性膜、及具备该透明导电性膜的触控面板。本发明的透明导电性膜具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的透明导电层，所述基材膜以不包含极性基团的聚合物作为主成分，所述透明导电层从所述基材膜侧起，依次具有第一铟－锡复合氧化物膜及第二铟－锡复合氧化物膜，所述第一铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量大于9重量％且为20重量％以下，所述第二铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为7重量％以上且9重量％以下。