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公开(公告)号：CN1188541C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01137616.3
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器，包括：阳极；作为阴极的蒸发源电极；以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN1354275A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01137616.3
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器,包括:阳极;作为阴极的蒸发源电极;以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN1632160A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410098355.5
申请日：2001-09-26
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C14/325 , C23C14/545 , C23C16/517
Abstract: 一种电弧蒸发器，包括：阳极；作为阴极的蒸发源电极；以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。
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公开(公告)号：CN103079973A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042633.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: B65F3/20
Abstract: 旋转支承部件(22)可旋转地插入一对相对侧壁(6a)上的各个支承用通孔(6b)中，设置不能相对于相对侧壁(6a)以旋转支承部件(22)的旋转中心做相对旋转的公转中心齿轮(27a)。偏心于旋转支承部件(22)的旋转中心设置自转中心齿轮(27b)，将自转中心轴(25)贯穿旋转支承部件(22)与自转中心齿轮(27b)联结的垃圾挤入旋转板(26)可旋转地设置在一对相对侧壁(6a)之间。将旋转支承部件侧链轮(32)布置在相对侧壁(6a)的外侧，与旋转支承部件(22)一体旋转地相联结。将公转中心齿轮(27a)和自转中心齿轮(27b)布置在旋转支承部件侧链轮(32)的与旋转支承部件(22)相对之相对面(底板22a)的相反一侧。这样就能够一边正确地控制垃圾挤入旋转板相对于垃圾投入箱的隔板下端的位置，一边提高垃圾装载装置的维修性及组装性且谋求紧凑化。
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公开(公告)号：CN1846013B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200480025541.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/24 , C23C14/541
Abstract: 本发明的真空成膜方法以及装置，在设在真空室(1)内且流路(7f)、(7g)、(7i)内流入规定的载热溶液的基体材料支持构件(6a)上安装基体材料，使所述真空室内保持实质上的真空状态，在所述真空室的内部，从2个或2个以上的蒸发源使蒸发材料蒸发，以规定的顺序使该蒸发的所述蒸发材料扩散到所述真空室的内部，使该扩散的所述蒸发材料蒸镀在所述基体材料的蒸镀面上，使由所述蒸发材料构成的多层膜在所述基体材料的蒸镀面上形成，在这样的成膜方法中，将防冻溶液用作流入所述基体材料支持构件具备的流路内的所述规定的载热溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101080510A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001413.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
Abstract: 本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的里面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶表面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的里面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的里面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。
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公开(公告)号：CN103476634A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280016011.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 新明和工业株式会社
Abstract: 将倾卸缸（12）的基端（12a）能够立卧地安装在位于与底盘（2）上的货箱支撑轴（20）保持有距离之位置的缸支撑轴（21）上，将转动部件（24）的第一安装部（24a）能够转动地安装在垃圾收放箱（3）下部的转动部件支撑轴（23）上，将连杆部件（26）的一端（26a）能够立卧地安装在设置在货箱支撑轴和缸支撑轴（21）之间的连杆支撑轴（25）上。将倾卸缸的顶端（12b）能够转动地安装在第二安装部（24b）上，将连杆部件的另一端（26b）能够立卧地安装在第三安装部（24c）上。在倾卸缸卧倒的卧倒状态下顺着货箱支撑轴的轴向看去，第一安装部、第二安装部以及第三安装部设置在缸支撑轴和连杆支撑轴之间，让转动部件朝着将垃圾收放箱往上方推的方向转动。
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公开(公告)号：CN100345000C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03156715.0
申请日：2003-09-08
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: G02B1/115
Abstract: 本发明公开了一种光学增透膜(反射防止膜)及其镀膜方法。一层具有与丙烯酸树脂基片的折射率基本相等的折射率的第一一氧化硅膜制备在该基片上至大约200钠米厚度，在该第一一氧化硅膜上制备一层折射率值在1.48至1.62之间范围内的第二一氧化硅膜至大约200钠米厚度。还有，例如在高低高低型增透膜的情况中，使用一特殊的离子镀装置制备一层折射率值在2.2至2.4之间范围的二氧化钛膜，以作为从最外层起算的第二层。
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公开(公告)号：CN1284879C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN02151451.8
申请日：2002-09-20
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/32 , C23C14/54 , G02B1/113
Abstract: 本发明提供一种即使卤素元素从膜形成材料中分离也能一边抑制由卤素元素的缺乏所引起的弊端一边进行成膜的卤素化合物的成膜方法及成膜装置。具体地说，使卤素化合物构成的膜的材料从蒸发源(3)蒸发，同时通过从高频电源单元(11)输出并经过衬底支架(2)而供给的高频功率使之离子化，使离子化的膜的材料被析出到衬底(5)上进行成膜。而且，通过从偏置电源单元(12)输出并施加到衬底支架(2)上的偏置电压，将从卤素化合物的离子中分离的卤素元素的离子吸入衬底(5)。
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公开(公告)号：CN1424598A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02156957.6
申请日：2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中，使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1～5m2/g的比表面积。
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