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公开(公告)号：CN1532563A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03156715.0
申请日：2003-09-08
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: G02B1/115
Abstract: 本发明公开了一种光学增透膜(反射防止膜)及其镀膜方法。一层具有与丙烯酸树脂基片的折射率基本相等的折射率的第一一氧化硅膜制备在该基片上至大约200钠米厚度，在该第一一氧化硅膜上制备一层折射率值在1.48至1.62之间范围内的第二一氧化硅膜至大约200钠米厚度。还有，例如在高低型增透膜的情况中，使用一特殊的离子镀装置制备一层折射率值在2.2至2.4之间范围的二氧化钛膜，以作为从最外层起算的第二层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100529815C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN02156957.6
申请日：2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统的膜结构。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中，使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1～5m2/g的比表面积。
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公开(公告)号：CN1268782C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01119272.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/32 , H01J37/32706
Abstract: 在离子镀中，基片被容放在设置在真空腔内的基片座上，在真空腔内产生等离子体并形成薄膜，使用一个电源单元，通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz～1GHz的偏电压，所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成，所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。
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公开(公告)号：CN100345000C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03156715.0
申请日：2003-09-08
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: G02B1/115
Abstract: 本发明公开了一种光学增透膜(反射防止膜)及其镀膜方法。一层具有与丙烯酸树脂基片的折射率基本相等的折射率的第一一氧化硅膜制备在该基片上至大约200钠米厚度，在该第一一氧化硅膜上制备一层折射率值在1.48至1.62之间范围内的第二一氧化硅膜至大约200钠米厚度。还有，例如在高低高低型增透膜的情况中，使用一特殊的离子镀装置制备一层折射率值在2.2至2.4之间范围的二氧化钛膜，以作为从最外层起算的第二层。
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公开(公告)号：CN1424598A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02156957.6
申请日：2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中，使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1～5m2/g的比表面积。
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公开(公告)号：CN1327083A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01119272.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/32 , H01J37/32706
Abstract: 在离子镀中,基片被容放在设置在真空腔内的基片座上,在真空腔内产生等离子体并形成薄膜,使用一个电源单元,通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz～1GHz的偏电压,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。
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