真空成膜方法及装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1846013B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200480025541.4

    申请日:2004-08-30

    CPC classification number: C23C14/505 C23C14/24 C23C14/541

    Abstract: 本发明的真空成膜方法以及装置,在设在真空室(1)内且流路(7f)、(7g)、(7i)内流入规定的载热溶液的基体材料支持构件(6a)上安装基体材料,使所述真空室内保持实质上的真空状态,在所述真空室的内部,从2个或2个以上的蒸发源使蒸发材料蒸发,以规定的顺序使该蒸发的所述蒸发材料扩散到所述真空室的内部,使该扩散的所述蒸发材料蒸镀在所述基体材料的蒸镀面上,使由所述蒸发材料构成的多层膜在所述基体材料的蒸镀面上形成,在这样的成膜方法中,将防冻溶液用作流入所述基体材料支持构件具备的流路内的所述规定的载热溶液。

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