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公开(公告)号：CN101300372B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200680041174.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。
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公开(公告)号：CN100577861C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200680016257.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/564 , B01J3/006
Abstract: 本发明提供能够简化冷却用流路的配设结构的真空处理用腔室。本发明的真空处理用腔室，具有多片壁构件(1、2、3、4、11、12、13)，该壁构件(1、2、3、4、11、12、13)的表面的一部分形成接合面，该接合面之间气密接合形成的接合部，将所述多片壁构件(1、2、3、4、11、12、13)加以接合，构成腔室主体(100)的真空处理用腔室，至少一部分接合部(10)，是在接合面内形成沿该接合面延伸的间隙(30、31)，而且该接合面的周围利用焊接气密接合形成间隙内藏型接合部(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101300372A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680041174.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。
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公开(公告)号：CN101080510B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680001413.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
Abstract: 本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的后面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶前面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的后面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的后面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。
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公开(公告)号：CN101203625A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680016257.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/564 , B01J3/006
Abstract: 本发明提供能够简化冷却用流路的配设结构的真空处理用腔室。本发明的真空处理用腔室，具有多片壁构件(1、2、3、4、11、12、13)，该壁构件(1、2、3、4、11、12、13)的表面的一部分形成接合面，该接合面之间气密接合形成的接合部，将所述多片壁构件(1、2、3、4、11、12、13)加以接合，构成腔室主体(100)的真空处理用腔室，至少一部分接合部(10)，是在接合面内形成沿该接合面延伸的间隙(30、31)，而且该接合面的周围利用焊接气密接合形成间隙内藏型接合部(10)。
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公开(公告)号：CN101346317A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000952.1
申请日：2007-07-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C03B23/20
CPC classification number: C03B23/20 , C03B23/203
Abstract: 本发明提供玻璃构件熔敷夹具，该夹具具备：具有在其规定区域(15)载置玻璃构件(10、11)的主面的基部构件(1)、设置在基部构件(1)上，使其能够接触玻璃构件(10、11)的外周面，使玻璃构件(10、11)定位于规定区域(15)的定位构件(5)、以及能够将玻璃构件(10、11)按压在基部构件(1)的主面上，而且以能够从该玻璃构件(10、11)上脱离开来地设置在基部构件(1)上的按压结构；定位构件(5)设置为能够在玻璃构件(10、11)的外周面上围绕整个一周照射激光，而且该定位构件(5)不会遮蔽激光。
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公开(公告)号：CN101080510A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001413.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 新明和工业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452
Abstract: 本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的里面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶表面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的里面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的里面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。
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