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公开(公告)号：CN104620676B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380047275.4
申请日：2013-09-11
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: B21D7/162 , B21D7/165 , C21D1/42 , C21D9/00 , C21D9/0075 , C21D9/08 , F27D11/06 , F27D11/12 , H05B6/101 , H05B6/104 , H05B6/36 , H05B6/365 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供一种使用电磁波的渗透深度比被加工件的板厚大的频率并能够对具有向外凸缘的被加工件的整周进行淬火的高频感应加热装置。高频感应加热装置(10)具有高频感应加热线圈(11)，该高频感应加热线圈(11)在将具有封闭的横截面并且具有向外凸缘(12a)的纵长且空心的钢制的被加工件(12)作为原材料来制造弯曲构件的3DQ中用于加热被加工件(12)。高频感应加热线圈(11)具有：磁芯(13)，其以与向外凸缘12a的两个表面(12a－1)、(12a－2)分离开并且隔着该两个表面相对的方式配置；以及感应加热线圈(14)，其配置为与磁芯(13)相连接并且包围被加工件(12)的外周中的除向外凸缘(12a)以外的一般部(13b)。
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公开(公告)号：CN103282559B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN104136145A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010806.2
申请日：2013-08-27
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B22D11/115 , B22D11/04
CPC classification number: B22D11/115 , B22D11/041 , B22D11/122
Abstract: 本发明的主要目的是提供一种能够均匀地向各铸型赋予电磁力的电磁搅拌装置。本发明在设置于将铸型(4)包夹的一对电磁线圈(C1、C2)的芯部(11)处的2个齿部(12)的外侧缠绕内侧绕线(13)，在缠绕有内侧绕线(13)的外侧缠绕有外侧绕线(14)，利用3相交流电源，使相位差相差120度的电流A、B、C在这些绕线中流动，在线圈(C1、C2)之间的距离L为500mm以上的情况下，电流的方向按照从铸造方向的一端侧向另一端侧流动的顺序，在线圈(C1)中是－B、+C、－C、+A、－A、+B，在线圈(C2)中是－B、+A、－A、+C、－C、+B，在距离L不足500mm的情况下，在线圈(C1)中是－B、+C、－C、+A、－A、+B，在线圈(C2)中是+B、－A、+A、－C、+C、－B，将满足铸型数量n、各铸型的外形尺寸φ以及电磁线圈宽度W为n×φ＜W的数量的铸型配置在线圈(C1、C2)之间而形成电磁搅拌装置(5)。
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公开(公告)号：CN102791395B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180012759.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: C21D9/08 , B21D7/12 , B21D7/16 , C21D1/42 , C21D9/60 , C21D11/00 , Y02P10/253
Abstract: 通过使用专利文献1的制造装置在钢管的周向上均匀地、且在钢管的轴向上较窄的范围内稳定地形成高温部，由此，制造具有优异的尺寸精度的弯曲构件。一边进给钢管（1）一边在第1位置（A）处支承该钢管（1），在第2位置（B）处利用感应加热线圈（14）对钢管（1）进行感应加热，并且，在第3位置（C）处冷却钢管（1），由此，形成向钢管（1）的轴向移动的高温部（1a），并且，通过在区域（D）中向三维方向改变钢管（1）的把持机构（15）的位置，对高温部（1a）施加弯曲力矩，从而制造弯曲构件。在钢管（1）的壁厚为2.0mm以下的情况下，使钢管（1）的进给速度V为5mm/sec～150mm/sec，向匝数为一的感应加热线圈（14）供给5kHz～100kHz的交流电流。并且，在钢管（1）的壁厚大于2.0mm小于等于3.0mm的情况下，使用匝数为二的感应加热线圈（14），且调整向感应加热线圈（14）供给的交流电流的电流频率f（kHz）及钢管（1）的进给速度V（mm/sec），而使它们满足f＜3000/V及f≥0.08V的关系，其中5kHz≤f≤100kHz，5mm/sec≤V≤150mm/sec。
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公开(公告)号：CN104471118A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380037691.6
申请日：2013-05-08
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488 , C30B15/32
Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN106413934B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201580027091.0
申请日：2015-05-27
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B21D7/16
Abstract: 本发明的弯曲部件的制造方法具有：把持工序，通过卡盘把持具有开口端的长条钢材的长度方向一端部；进给工序，将上述把持工序后的上述钢材以上述一端部为前头沿着上述长度方向进给；加热工序，对上述钢材的上述长度方向的一部分进行高频感应加热而形成加热部；弯曲工序，通过使上述卡盘沿三维方向移动而对上述加热部赋予弯曲力矩；以及冷却工序，朝上述弯曲工序后的上述加热部喷射冷却介质而进行冷却。在上述加热工序的开始时，使在上述一端部形成上述加热部时施加的加热量大于在沿着上述钢材的进给方向观察的情况下在与上述一端部的上游侧邻接的上游侧邻接部位形成上述加热部时施加的加热量，并且通过上述冷却介质冷却上述卡盘。
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公开(公告)号：CN104662213B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201380046179.8
申请日：2013-09-02
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36
Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
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公开(公告)号：CN104471117A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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