公开(公告)号：CN119452752A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380049578.3

申请日：2023-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 辻英德 ,  高岛信也 ,  上野胜典 ,  吉村尚 ,  谷口竣太郎

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明提供一种具备氧化学浓度为1×1016atoms/cm3以上的半导体基板的半导体装置，该半导体装置包含体施主和增加施主，具备掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的缓冲区，遍及从缓冲区的下端到最深峰为止的整个第一范围，热施主的浓度为同一深度位置处的增加施主的浓度的10%以下。

公开(公告)号：CN101877529B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201010150674.1

申请日：2010-03-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H02M1/08 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7815 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明的目的是通过将WBG半导体用作逆变器电路的开关元件来获得具有高可靠性和高负载短路耐受能力同时保持低导通电阻的半导体器件。在应用于逆变器电路的开关元件的半导体器件中，半导体材料的带隙比硅的带隙宽，设置了在主晶体管短路时限制电流的电路，而且主要用于让电流通过的主晶体管、并联连接至主晶体管并检测与流过主晶体管的电流成比例的微电流的感测晶体管、以及基于感测晶体管的输出来控制主晶体管的栅极的横向MOSFET形成在同一半导体上。

公开(公告)号：CN102792449B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN104183484A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310412149.6

申请日：2013-09-11

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H01L21/33 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有高破坏耐量。半导体装置具备：第1元件，其是由氮化物系化合物半导体构成的常导通型的晶体管；第2元件，其与所述第1元件串联连接，是源极-漏极间的耐压低于所述第1元件的晶体管；第1二极管，其在所述第1元件或所述第2元件的栅极与所述第1元件的漏极之间按照阴极与所述漏极侧连接的方式连接，并且具有规定的雪崩耐压；和第1电阻，其与连接了所述第1二极管的所述栅极连接，其中，所述第1二极管的雪崩耐压低于所述第1元件的破坏电压。

公开(公告)号：CN101350618B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200810109852.9

申请日：2008-05-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 原田祐一 ,  伊仓巧裕 ,  渡边泰正 ,  上野胜典

IPC: H03K19/0185 ,  H01L21/784

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明提供了一种即便在过量负电压或ESD浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的n沟道MOSFET构成，并且电平移动电阻器与限流电阻器之间的部分是电平上移电路的输出部。通过设置限流电阻器，因过量负电压或ESD浪涌而流动的电流被抑制，由此防止电平移动电流失效或故障。

公开(公告)号：CN102184918B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201010576099.1

申请日：2010-11-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 为了提供尽可能低成本的内燃机点火器半导体器件，同时确保能量耐受性和反向浪涌耐受能力。一种IGBT包括在集电电极和栅电极之间的钳位二极管，该IGBT在IGBT的p+衬底和n型基极层之间具有不同杂质浓度的两个n型缓冲层，其中该双层缓冲层的总厚度为50μm或更小，而总杂质量为20x1013cm-2或更小。

公开(公告)号：CN117438292A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310773937.1

申请日：2023-06-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 辻英德 ,  上野胜典 ,  高岛信也 ,  吉村尚

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，由氢离子形成的施主浓度有时根据半导体基板的碳浓度等而变动。半导体装置的制造方法包括：设定步骤，根据缓冲区应具有的载流子浓度的分布来设定向与多个浓度峰对应的多个深度位置注入的氢离子的剂量；以及注入步骤，根据在设定步骤中设定的所述剂量向半导体基板注入氢离子，在设定步骤中，根据半导体基板的碳浓度来设定针对多个浓度峰中的距半导体基板的下表面最远的最深峰的氢离子的剂量，并且不依赖于半导体基板的所述碳浓度来设定针对除最深峰以外的浓度峰中的至少一个浓度峰的剂量。

公开(公告)号：CN101419970B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810169163.7

申请日：2008-10-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/0619

Abstract: 半导体配备有IGBT有源部分和用于检测IGBT异常状态的控制电路部分。集电极区以选择性方式在背表面一侧(即在IGBT集电极一侧)形成，也就是说在IGBT有源部分的正下方形成。